[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其具备：

多个第1导电体层，设置在衬底的上方，在第1方向上相互分离地积层；

第2导电体层，设置在所述多个第1导电体层的上方；

第1柱，贯通所述多个第1导电体层而设置，且所述第1柱包含沿所述第1方向延伸的第1半导体层的一部分，所述第1柱与所述第1导电体层的交叉部分作为存储单元晶体管发挥功能；及

第2柱，贯通所述第2导电体层且设置在所述第1柱上，且所述第2柱包含所述第1半导体层的另一部分，所述第2柱与所述第2导电体层的交叉部分作为选择晶体管发挥功能；

与所述衬底平行且包含所述第2导电体层的截面中的所述第2柱的截面积小于与所述衬底平行且包含所述第1导电体层的截面中的所述第1柱的截面积，且

所述第1半导体层包含与最上层的第1导电体层对向的第1部分及与所述第2导电体层对向的第2部分，所述第1半导体层至少从所述第1部分到所述第2部分为连续膜。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述最上层的第1导电体层与所述第2导电体层之间的所述第1方向上的间隔大于相邻的第1导电体层间的所述第1方向上的间隔。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中在俯视下，所述第1柱的中心与所述第2柱的中心不重叠。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1柱还包含所述第1半导体层与所述多个第1导电体层之间的第1积层膜，

所述第2柱还包含所述第1半导体层与所述第2导电体层之间的第2积层膜，且

所述第1积层膜与所述第2积层膜之间至少一部分分离。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1柱还包含所述第1半导体层与所述多个第1导电体层之间的第1积层膜，

所述第2柱还包含所述第1半导体层与所述第2导电体层之间的第2积层膜，且

所述第2积层膜的膜厚比所述第1积层膜的膜厚薄。

6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其中所述第1积层膜包含第1电荷蓄积层、所述第1电荷蓄积层与所述第1半导体层之间的第1隧道绝缘膜、及所述第1电荷蓄积层与所述多个第1导电体层之间的第1阻挡绝缘膜，且

所述第2积层膜包含第2电荷蓄积层、所述第2电荷蓄积层与所述第1半导体层之间的第2隧道绝缘膜、及所述第2电荷蓄积层与所述第2导电体层之间的第2阻挡绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中所述第2隧道绝缘膜的底面、所述第2阻挡绝缘膜的底面、及所述第2电荷蓄积层的底面与所述第1半导体层接触。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1柱还包含所述第1半导体层与所述多个第1导电体层之间的第1积层膜，

所述第2柱还包含所述第1半导体层与所述第2导电体层之间的栅极绝缘膜，且

所述第1积层膜具有电荷蓄积层，所述栅极绝缘膜不具有电荷蓄积层。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述第1积层膜包含第1电荷蓄积层、所述第1电荷蓄积层与所述第1半导体层之间的第1隧道绝缘膜、及所述第1电荷蓄积层与所述多个第1导电体层之间的第1阻挡绝缘膜。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中所述栅极绝缘膜是由与所述第1隧道绝缘膜相同的材料所形成的单层膜。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述栅极绝缘膜的膜厚比所述第1积层膜的膜厚薄。

12.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其中所述第1积层膜与所述栅极绝缘膜之间至少一部分分离。