[发明专利]一种半导体芯片以及智能功率模块在审
| 申请号： | 201910708671.6 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112310072A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 兰昊;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 广东美的白色家电技术创新中心有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 董超男;张颖玲 |
| 地址： | 528311 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 以及 智能 功率 模块 | ||
1.一种半导体芯片，其特征在于，包括依次层叠的第一半导体层、绝缘层、以及第二半导体层；其中，
在所述第一半导体层上形成有第一电子元器件；
在所述第二半导体层上形成有第二电子元器件；
在所述第二电子元器件下方的所述绝缘层内具有空洞区，以隔离所述第一电子元器件对所述第二电子元器件的电性影响和/或温度影响。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一半导体层的厚度大于所述第二半导体层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一电子元器件包括功率器件，所述第二电子元器件包括控制器件。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片，其特征在于，所述功率器件包括绝缘栅双极型晶体管IGBT和/或快恢复二极管FRD；所述控制器件包括微控制单元MCU、驱动集成电路、电阻、电容中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述在所述第二电子元器件下方的所述绝缘层内具有空洞区，包括：
在所述第二电子元器件的沟道区下方的所述绝缘层内具有空洞区。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述空洞区内填充有氮气。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片内还具有通孔，所述第一电子元器件与所述第二电子元器件之间通过所述通孔电性连接。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，所述第一绝缘层靠近所述第一半导体层，所述第二绝缘层靠近所述第二半导体层，所述空洞区位于所述第二电子元器件下方的所述第二绝缘层内；
所述半导体芯片还包括设置在所述第一绝缘层和第二绝缘层之间的隔离层；沿层叠方向，所述第一电子元器件的垂直投影与所述第二电子元器件的垂直投影至少被所述隔离层覆盖，所述隔离层连接第一预设电位，以隔离所述第一电子元器件与所述第二电子元器件之间的电性干扰。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片，其特征在于，所述隔离层为半导体层。
10.一种智能功率模块IPM，其特征在于，包括至少一个权利要求1至9中任意一项所述的半导体芯片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
