[发明专利]一种具有反馈结构的半导体功率晶体管及集成电路与封装结构

权利要求书

1.一种具有反馈结构的半导体功率晶体管，包括水平结构晶体管、垂直结构晶体管，所述水平结构晶体管包括栅极(1)、漏极(2)，源极(3)、栅极输入端(4)、漏极输出端(5)、栅极插指(6)，所述垂直结构晶体管包括基极(7)、集电极(8)、发射极(9)、基极输入端(10)、集电极输出端(11)，其特征在于：

所述水平结构晶体管和垂直结构晶体管还包括抑制本征反馈结构和周期性反馈结构；

所述抑制本征反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的电极上，用于抑制半导体功率晶体管的法布里珀罗FP反馈；

所述周期性反馈结构设置在所述半导体功率晶体管的衬底上，或/和设置在所述半导体功率晶体管的电极上，或/和设置在所述半导体功率晶体管的输入输出端外侧连接处；

在水平结构晶体管中，所述抑制本征反馈结构包括位于源极电极上的源极倾斜端(13)、位于漏极电极上的漏极倾斜端(14)，所述源极倾斜端(13)相对于栅极插指(6)电极倾斜一个角度，或/和所述漏极倾斜端(14)相对于栅极插指(6)电极倾斜一个角度；

在垂直结构晶体管中，所述抑制本征反馈结构为在基极(7)、集电极(8)、发射极(9)的电极界面相互倾斜一个可破坏电极平行关系的角度而形成的物理结构；

在水平结构晶体管中，所述设置在半导体功率晶体管电极上的周期性反馈结构包括在漏极(2)、源极(3)的电极的若干个金属层上，刻蚀生成在某一方向上产生周期性变化的调制几何结构(15)或/和制作生成具有周期性变化的调制孔洞结构(16)；

在垂直结构晶体管中，所述设置在半导体功率晶体管电极上的周期性反馈结构包括在基极(7)、集电极(8)、发射极(9)的电极的若干个金属层上，刻蚀或生成在某一方向上产生周期性变化的调制几何结构(15)或/和制作生成具有周期性变化的调制孔洞结构(16)。

2.如权利要求1所述的一种具有反馈结构的半导体功率晶体管，其特征在于：所述设置在半导体功率晶体管内部衬底上的周期性反馈结构，包括基于有源层的增益耦合结构或/和基于无源层的分布反馈结构。

3.如权利要求2所述的一种具有反馈结构的半导体功率晶体管，其特征在于：

在水平结构晶体管中，所述基于有源层的增益耦合结构为位于水平结构晶体管内部衬底上的沟道层表面，具有周期性深浅变化的凸凹结构，或/和具有周期性电性能变化的结构；所述基于无源层的分布反馈结构为位于水平结构晶体管内部衬底上的隔离层或/和势垒层表面，具有周期性深浅变化的凸凹结构，或/和具有周期性电性能变化的结构；

在垂直结构晶体管中，所述基于有源层的增益耦合结构为位于垂直结构晶体管内部衬底上的发射区或/和集电区且具有周期性变化的多层量子阱结构，所述基于无源层的分布反馈结构为位于水平结构晶体管内部衬底上的基区或/和次集电区且具有周期性变化的多层量子阱结构。

4.如权利要求1所述的一种具有反馈结构的半导体功率晶体管，其特征在于：所述设置在半导体功率晶体管的输入输出端外侧连接处的周期性反馈结构，包括若干个串联或并联配合使用的无源周期反馈结构或/和有源插指周期反馈结构。

5.如权利要求4所述的一种具有反馈结构的半导体功率晶体管，其特征在于：

在水平结构晶体管中，所述无源周期反馈结构包括在栅极输入端(4)、漏极输出端(5)外侧连接处的若干个金属层上，刻蚀生成具有周期性变化的调制几何结构(15)或者制作生成具有周期性变化的调制孔洞结构(16)；

在垂直结构晶体管中，所述无源周期反馈结构包括在基极输入端(10)、集电极输出端(11)外侧连接处的若干个金属层上，刻蚀生成具有周期性变化的调制几何结构(15)或者制作生成具有周期性变化的调制孔洞结构(16)。