[发明专利]半导体的烘烤装置及获取半导体在烤盘上的位置的方法有效
| 申请号: | 201910663243.6 | 申请日: | 2019-07-22 |
| 公开(公告)号: | CN110504193B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
| 发明(设计)人: | 张雷;简永幸 | 申请(专利权)人: | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
| 地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 烘烤 装置 获取 烤盘上 位置 方法 | ||
1.一种半导体的烘烤装置,其特征在于,所述烘烤装置包括:
烤盘,所述烤盘的第一表面用于放置所述半导体,所述第一表面上设置有多个温度监测点;
多个温度传感器,所述温度传感器对应于所述温度监测点设置于所述烤盘上,用于检测所述温度监测点的温度;
处理器,用于接收多个所述温度监测点的温度,得到多个所述温度监测点的温度曲线,并根据多个所述温度曲线得到所述半导体和所述烤盘的位置关系,其中所述处理器根据多个所述温度曲线得到第一时刻,并获取在所述第一时刻的多个温度值,所述第一时刻为多个所述温度曲线中温差最大的时刻;所述处理器从多个所述温度值中获取最大温度值和最小温度值,计算所述最大温度值和所述最小温度值的差值;所述处理器判断到所述差值小于预设的阈值时,所述半导体和所述烤盘的位置关系为所述半导体全部位于所述烤盘上。
2.根据权利要求1所述的烘烤装置,其特征在于,所述处理器判断到所述差值大于预设的阈值时,所述半导体和所述烤盘的位置关系为所述半导体部分位于所述烤盘上。
3.根据权利要求1所述的烘烤装置,其特征在于,所述烘烤装置还包括:采集器,分别与多个所述温度传感器和所述处理器连接,所述采集器从多个所述温度传感器获取所述温度,并将所述温度转换为数字信号,发送所述数字信号给所述处理器。
4.根据权利要求1所述的烘烤装置,其特征在于,所述烘烤装置还包括设置在所述烤盘上的侧壁,所述侧壁与所述烤盘形成容纳腔,所述容纳腔用于容置所述半导体,所述侧壁的内侧凸出设置有导向件,用于为所述半导体导向,以使所述半导体按照预定的路径落入到所述第一表面上。
5.根据权利要求4所述的烘烤装置,其特征在于,所述导向件为斜面,所述斜面与所述第一表面呈预设的夹角设置。
6.根据权利要求1所述的烘烤装置,其特征在于,多个所述温度监测点沿所述第一表面的周向均匀的分布于所述第一表面上。
7.一种获取半导体在烤盘上的位置的方法,其特征在于,应用于权利要求1-6任一项所述的烘烤装置,所述方法包括:
通过所述温度传感器获取多个所述温度监测点的温度;
接收多个所述温度监测点的温度,得到多个所述温度监测点的温度曲线;
根据多个所述温度曲线得到所述半导体和所述烤盘的位置关系,
所述根据多个所述温度曲线得到所述半导体和所述烤盘的位置关系的步骤包括:
根据多个所述温度曲线得到第一时刻,所述第一时刻为多个所述温度曲线中温差最大的时刻,并获取在所述第一时刻的多个温度值;
从多个所述温度值获取最大温度值和最小温度值,计算所述最大温度值和所述最小温度值的差值;
当判断到所述差值小于预设的阈值时,所述半导体和所述烤盘的位置关系为所述半导体全部位于所述烤盘上。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当判断到所述差值大于所述预设的阈值时,所述半导体和所述烤盘的位置关系为所述半导体部分位于所述烤盘上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





