[发明专利]半导体结构与微型半导体显示设备在审
申请号: | 201910645761.5 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN112242412A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 杨翔甯;吴志凌;苏义闵;吴柏威 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 微型 显示 设备 | ||
本发明提供一种半导体结构与微型半导体显示设备,所述半导体结构包括一基板、多个微型半导体组件以及一固定结构。微型半导体组件设置于基板上。固定结构设置于基板与微型半导体组件之间。固定结构包括多个导电层及多个支撑层。导电层设置于微型半导体组件的下表面上。支撑层连接于导电层与基板。导电层的材料与支撑层的材料不同。
技术领域
本公开实施例涉及一种半导体结构,尤其涉及一种微型半导体结构(microsemiconductor structure)与微型半导体显示设备。
背景技术
近年,由于发光二极管(Light Emitting Diode,LED)在制作尺寸上的突破,将发光二极管以数组排列制作的微型发光二极管(Micro LED)显示器在市场上逐渐受到重视。微型发光二极管显示器属于主动式微型半导体组件显示器,其相较于有机发光二极管(Organic Micro semiconductor Diode,OLED)显示器更为省电,也具备更佳优异的对比度表现,在阳光下可具有更佳的可视性。此外,由于微型发光二极管显示器采用无机材料,其相较于有机发光二极管显示器具备更佳优良的可靠性以及更长的使用寿命。
微型发光二极管仍然具有一些缺点。举例来说,发光二极管常通过固定结构(tether)来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板(carrier substrate)上拾取并转移至接收基板上,且通过固定结构来巩固微型发光二极管,使微型发光二极管于转移时不会受到其他外因而影响质量。然而,在微型发光二极管转移至接收基板后,固定结构可能会残留导致微型发光二极管的电极接触不良,造成微型发光二极管的效能降低。
因此,虽然现有的微型发光二极管已大致符合需求,但仍然存在许多问题,因此如何改善现有的微型发光二极管已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本公开实施例包括一种半导体结构。半导体结构包括一基板、多个微型半导体组件以及一固定结构。微型半导体组件设置于基板上。固定结构设置于基板与微型半导体组件之间。固定结构包括多个导电层及多个支撑层。导电层设置于微型半导体组件的下表面上。支撑层连接于导电层与基板。导电层的材料与支撑层的材料不同,使支撑层于微型半导体组件转移后不易残留于微型半导体组件上,可避免微型半导体组件的电路接触不良,有效提升后续形成的异质整合系统(例如,微型发光二极管显示设备)的效能。
本公开实施例包括一种微型半导体显示设备。微型半导体显示设备包括一接收基板、多个微型半导体组件以及多个导电层。微型半导体组件设置于接收基板上。导电层设置于接收基板与微型半导体组件之间。微型半导体组件于接收基板上的正投影的面积小于导电层于接收基板上的正投影的面积。
本公开实施例包括一种半导体结构。半导体结构包括一基板、一磊晶结构以及一固定结构。磊晶结构设置于基板上。固定结构设置于基板与磊晶结构之间。固定结构包括多个导电层及多个支撑层。导电层设置于磊晶结构的下表面上。支撑层连接于导电层与基板。导电层的材料与支撑层的材料不同,使支撑层于磊晶结构转移后不易残留于磊晶结构上,可避免磊晶结构的电路接触不良,有效提升后续形成的异质整合系统(例如,微型发光二极管显示设备)的效能。
此外,固定结构的导电层可直接作为微型半导体组件或磊晶结构的电极,不需要额外的制程,能进一步降低半导体结构的制程时间与制造成本。
附图说明
以下将配合所附附图详述本公开实施例。应注意的是,各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上,组件的尺寸可能经放大或缩小,以清楚地表现出本公开实施例的技术特征。
图1显示根据本公开一实施例的半导体结构的部分剖面示意图;
图2显示根据本公开另一实施例的半导体结构的部分剖面示意图;
图3显示根据本公开又一实施例的半导体结构的部分剖面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的