[发明专利]半导体结构与微型半导体显示设备在审
申请号: | 201910645761.5 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN112242412A | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 杨翔甯;吴志凌;苏义闵;吴柏威 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 结构 微型 显示 设备 | ||
1.一种半导体结构,包括:
基板;
多个微型半导体组件,设置于所述基板上;以及
固定结构,设置于所述基板与所述多个微型半导体组件之间,且所述固定结构包括:
多个导电层,设置于所述多个微型半导体组件的下表面上;及
多个支撑层,连接于所述多个导电层与所述基板;
其中所述多个导电层的材料与所述多个支撑层的材料不同。
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其中每所述支撑层直接接触所连接的导电层的侧表面与下表面的至少其中之一。
3.根据权利要求2所述的半导体结构,其中每所述微型半导体组件于所述基板上的正投影的面积小于对应的所述导电层于所述基板上的正投影的面积。
4.根据权利要求3所述的半导体结构,其中每所述微型半导体组件于所述基板上的正投影的面积与对应的所述导电层于所述基板上的正投影的面积的比值大于或等于0.5且小于1。
5.根据权利要求2所述的半导体结构,其中每所述微型半导体组件于所述基板上的正投影的面积等于对应的所述导电层于所述基板上的正投影的面积。
6.根据权利要求2所述的半导体结构,其中每所述微型半导体组件于所述基板上的正投影的面积大于对应的所述导电层于所述基板上的正投影的面积。
7.根据权利要求6所述的半导体结构,其中所述多个微型半导体组件的下表面直接接触所述多个支撑层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构,其中每所述导电层包括第一导电部与第二导电部,所述第一导电部与所述第二导电部彼此分离。
9.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述多个导电层的杨氏模量大于所述多个支撑层的杨氏模量。
10.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述多个微型半导体组件的下表面、所述多个支撑层的上表面与所述多个导电层的上表面共平面。
11.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述多个支撑层彼此分离。
12.根据权利要求1所述的半导体结构,其中所述多个支撑层形成网状结构,所述网状结构包括:
多个第一子支撑件,每所述第一子支撑件于所述基板上的正投影沿第一方向延伸;及
多个第二子支撑件,每所述第二子支撑件于所述基板上的正投影沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向不同。
13.一种微型半导体显示设备,包括:
接收基板;
多个微型半导体组件,设置于所述接收基板上;以及
多个导电层,设置于所述接收基板与所述多个微型半导体组件之间;
其中所述多个微型半导体组件于所述接收基板上的正投影的面积小于所述多个导电层于所述接收基板上的正投影的面积。
14.根据权利要求13所述的微型半导体显示设备,还包括:
多个接合层,设置于所述接收基板与所述多个导电层之间,其中每所述接合层于所述接收基板上的正投影的面积小于对应的所述导电层于所述接收基板上的正投影的面积。
15.一种半导体结构,包括:
基板;
磊晶结构,设置于所述基板上;以及
固定结构,设置于所述基板与所述磊晶结构之间,且所述固定结构包括:
多个导电层,设置于所述磊晶结构的下表面上;及
多个支撑层,连接于所述多个导电层与所述基板;
其中所述多个导电层的材料与所述多个支撑层的材料不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于錼创显示科技股份有限公司,未经錼创显示科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910645761.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种汽车信号灯内灯罩结构及车灯
- 下一篇:通信设备及天线切换方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的