[发明专利]包括垂直堆叠半导体管芯的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个半导体管芯堆叠，所述多个半导体管芯堆叠在封装块中模制在一起，每个半导体管芯堆叠包括：

两个或更多个半导体管芯，每个半导体管芯包括：

多个接合焊盘，所述多个接合焊盘在所述管芯的第一表面上，和

多个边缘焊盘，所述多个边缘焊盘形成在所述第一表面中或所述第一表面上并延伸到所述半导体管芯的邻近所述第一表面的有源边缘，所述多个边缘焊盘电耦接到所述多个接合焊盘，所述两个或更多个半导体管芯的所述有源边缘对准以形成有源侧壁；

重新分布层，所述重新分布层形成在所述多个半导体管芯堆叠的所述有源侧壁上，所述重新分布层将所述边缘焊盘的位置电重新分布到所述重新分布层的表面上的扇出位置；和

多个焊料球，所述多个焊料球电耦接到所述重新分布层的所述扇出位置，被配置成将所述半导体器件电连接到主机设备。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个半导体管芯堆叠水平地堆叠在第一临时载体上，并且随后垂直堆叠在第二临时载体上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述多个半导体管芯堆叠在模塑化合物中封装到所述第二临时载体上的所述封装块中。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个半导体管芯堆叠中的每个堆叠包括多个闪存存储器管芯。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述多个半导体管芯堆叠中的每个堆叠还包括控制器管芯，所述控制器管芯控制所述多个堆叠中的每个堆叠中的多个闪存存储器管芯。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述多个半导体管芯堆叠中的一个堆叠还包括单个控制器管芯，所述单个控制器管芯控制所述多个堆叠中的所有堆叠中的所述多个闪存存储器管芯。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个半导体管芯堆叠中的每个堆叠还包括电子部件。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述电子部件包括无源部件。

9.一种半导体器件，包括：

半导体管芯堆叠，包括：

两个或更多个半导体管芯，每个半导体管芯包括：

多个接合焊盘，所述多个接合焊盘在所述管芯的第一表面上，和

多个边缘焊盘，所述多个边缘焊盘形成在所述第一表面中或所述第一表面上并延伸到所述半导体管芯的邻近所述第一表面的有源边缘，所述多个边缘焊盘电耦接到所述多个接合焊盘，所述两个或更多个半导体管芯的所述有源边缘对准以形成有源侧壁；

模塑复合物，所述模塑复合物将所述半导体管芯堆叠封装到模制块中，其中使所述有源侧壁暴露；

重新分布层，所述重新分布层形成在所述半导体管芯堆叠的所述有源侧壁上，所述重新分布层电耦接所述两个或更多个半导体管芯的所述管芯接合焊盘；和

多个焊料球，所述多个焊料球形成在通过所述模塑化合物的表面的穿模通孔中并且电耦接到所述半导体管芯堆叠的半导体管芯的管芯接合焊盘，所述焊料球被配置成将所述半导体器件电连接到主机设备。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述半导体器件从包括多个所述半导体器件的封装块分割。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述半导体管芯堆叠中的所述两个或更多个半导体管芯水平地堆叠在第一临时载体上，并且随后垂直堆叠在第二临时载体上。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述半导体管芯堆叠在所述第二临时载体上封装在模塑化合物中。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述半导体管芯堆叠包括多个闪存存储器管芯。