[发明专利]一种显示面板的制作方法,以及显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201910544790.2 | 申请日: | 2019-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN110265410B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
| 发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;袁志东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方卓印科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 以及 显示装置 | ||
本发明实施例公开了一种显示面板的制作方法,以及显示面板和显示装置。显示面板的制作方法包括:形成所述显示面板的栅极薄膜层,并在栅极薄膜层上形成胶层,采用具有半透光区域的掩膜板对栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理,形成显示面板中晶体管的栅极和栅极扫描线,该栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中,至少部分交叠区域包括第一栅线通道,或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。本发明实施例解决了现有显示面板的像素电路的布局中,信号线交叠区域的设计难以兼顾对高良率和低负载的要求。
技术领域
本申请涉及但不限于显示技术和半导体工艺技术领域,尤指一种显示面板的制作方法,以及显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,现有显示产品朝着高像素密度(Pixels Per Inch,简称为:PPI)的方向发展。
由于目前显示领域中高分辨率、高品质产品的快速发展,随之产生了很多技术上的问题。例如,由于像素布局(Layout)空间的限制,信号线的交叠引发的良率风险,以及栅极驱动(Gate Driver on Array,简称为:GOA)电路对栅极负载(Gate Loading)较为敏感等问题;现有像素布局中,信号线交叠区域的设计难以兼顾对高良率和低负载的要求。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法,以及显示面板和显示装置,以解决现有显示面板的像素电路的布局中,信号线交叠区域的设计难以兼顾对高良率和低负载的要求。
本发明实施例提供一种显示面板的制作方法,包括:
形成所述显示面板的栅极薄膜层,并在所述栅极薄膜层上形成胶层;
采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理,形成所述显示面板中晶体管的栅极和栅极扫描线,所述栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中,至少部分所述交叠区域包括第一栅线通道,或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。
可选地,如上所述的显示面板的制作方法中,所述掩膜板包括非透光区域、所述半透光区域和透光区域;
其中,所述半透光区域为半色调掩膜区域,或者,
所述半透光区域包括平行设置的多个条状掩膜线栅。
可选地,如上所述的显示面板的制作方法中,所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理,包括:
采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影、光阻灰化和刻蚀处理后,形成的所述栅极扫描线中的所有交叠区域包括所述第一栅线通道,其中,所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述栅极扫描线重叠。
可选地,如上所述的显示面板的制作方法中,所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理,包括:
采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影和刻蚀处理后,形成的所述栅极扫描线中的至少部分所述交叠区域包括所述第一栅线通道和至少一个所述第二栅线通道,其中,所述半透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第二栅线通道重叠,所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第一栅线通道和非交叠区域的栅极扫描线重叠。
可选地,如上所述的显示面板的制作方法中,所述交叠区域内,所述第一栅线通道的两端与所述第二栅线通道的两端一一对应的相连通。
可选地,如上所述的显示面板的制作方法中,所述非同层信号线包括所述显示面板的数据信号线,电源电压信号线和检测信号线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





