[发明专利]一种显示面板的制作方法,以及显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201910544790.2 | 申请日: | 2019-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN110265410B | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
| 发明(设计)人: | 袁粲;李永谦;袁志东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方卓印科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 以及 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
形成所述显示面板的栅极薄膜层,并在所述栅极薄膜层上形成胶层;
采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理,形成所述显示面板中晶体管的栅极和栅极扫描线,所述栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中,至少部分所述交叠区域包括第一栅线通道,或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述掩膜板包括非透光区域、所述半透光区域和透光区域;
其中,所述半透光区域为半色调掩膜区域,或者,
所述半透光区域包括平行设置的多个条状掩膜线栅。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理,包括:
采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影、光阻灰化和刻蚀处理后,形成的所述栅极扫描线中的所有交叠区域包括所述第一栅线通道,其中,所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述栅极扫描线重叠。
4.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述采用具有半透光区域的掩膜板对所述栅极薄膜层进行一次图形化工艺处理,包括:
采用所述掩膜板对所述栅极薄膜层进行掩膜、一次曝光、显影和刻蚀处理后,形成的所述栅极扫描线中的至少部分所述交叠区域包括所述第一栅线通道和至少一个所述第二栅线通道,其中,所述半透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第二栅线通道重叠,所述非透光区域在所述栅极薄膜层所在平面的投影区域与所述第一栅线通道和非交叠区域的栅极扫描线重叠。
5.根据权利要求4所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述交叠区域内,所述第一栅线通道的两端与所述第二栅线通道的两端一一对应的相连通。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述非同层信号线包括所述显示面板的数据信号线,电源电压信号线和检测信号线。
7.一种显示面板,其特征在于,采用如权利要求1~6中任一项显示面板的制作方法制作出所述显示面板,所述显示面板包括:像素阵列层和显示单元,所述像素阵列层中的栅极扫描线与非同层信号线的交叠区域中,至少部分所述交叠区域包括第一栅线通道,或者包括所述第一栅线通道和至少一个第二栅线通道。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,至少部分所述交叠区域中包括所述第一栅线通道和至少一个所述第二栅线通道。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅线通道、所述第二栅线通道和非交叠区域中栅极扫描线的宽度相同,且同一栅极扫描线上的第一栅线通道和非交叠区域形成条状的所述栅极扫描线。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第二栅线通道为U形或圆弧形,所述第二栅线通道的两端与所述第一栅线通道的两端一一对应的相连接。
11.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一栅线通道和所述第二栅线通道的宽度相同,且小于非交叠区域中栅极扫描线的宽度,所述第一栅线通道和所述第二栅线通道的两端分别连接到其两侧相邻非交叠区域的栅极扫描线上。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求7~11中任一项所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





