[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件，所述半导体器件可以包括：第一沟道，位于基底的第一区域上，并且在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开；第二沟道，位于基底的第二区域上，并且在竖直方向上彼此间隔开；第一栅极结构，位于基底的第一区域上，并且覆盖第一沟道中的每个的表面的至少一部分；以及第二栅极结构，位于基底的第二区域上，并且覆盖第二沟道中的每个的表面的至少一部分。第二沟道可以设置在与第一沟道中对应的第一沟道的高度基本相同的高度处，第二沟道中的最下面的第二沟道的高度可以比第一沟道中的最下面的第一沟道的高度高。

该专利申请要求于2018年6月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0075616号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思的示例实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及一种具有垂直堆叠的多个沟道的半导体器件及其制造方法。

背景技术

在以高速操作的高度集成的半导体器件中，可以找到多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)。每个MBCFET可以包括垂直堆叠的多个沟道。当在半导体器件中包括多个MBCFET，其中每个MBCFET在每个堆叠中具有相同数量的沟道时，多个MBCFET可以具有相同的特性。因此，期望制造具有彼此不同特性的MBCFET的方法。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种具有增强特性的半导体器件及其制造方法。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件可以包括：基底，包括第一区域和与第一区域相邻或与第一区域间隔开的第二区域；第一沟道，设置在基底的第一区域上，第一沟道在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开；第二沟道，设置在基底的第二区域上，第二沟道在竖直方向上彼此间隔开；第一栅极结构，设置在基底的第一区域上，并且覆盖第一沟道中的每个的表面的至少一部分；以及第二栅极结构，设置在基底的第二区域上，并且覆盖第二沟道中的每个的表面的至少一部分。第二沟道可以设置在与第一沟道中对应的第一沟道的高度基本相同的高度处，第二沟道中的最下面的第二沟道的高度比第一沟道中的最下面的第一沟道的高度高。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件可以包括：基底，包括第一区域和与第一区域相邻或与第一区域间隔开的第二区域；第一晶体管，包括设置在基底的第一区域上的第一栅极结构以及在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开的第一沟道，第一沟道中的每个部分地延伸穿过第一栅极结构；以及第二晶体管，包括设置在基底的第二区域上的第二栅极结构以及在竖直方向上彼此间隔开的第二沟道，第二沟道中的每个部分地延伸穿过第二栅极结构。第一沟道的总数比第二沟道的总数大，第一沟道中的最上面的第一沟道和第二沟道中的最上面的第二沟道形成在基本相同的高度处。

根据本发明构思的示例实施例，一种半导体器件可以包括：基底，包括第一区域和与第一区域相邻或与第一区域间隔开的第二区域；第一有源图案，从基底的第一区域向上突出；第一隔离图案，围绕第一有源图案的侧壁；第一晶体管，包括设置在第一有源图案和第一隔离图案上的第一栅极结构以及在与基底的上表面基本垂直的竖直方向上彼此间隔开的第一沟道，第一沟道中的每个部分地延伸穿过第一栅极结构；第二有源图案，从基底的第二区域向上突出；牺牲线和半导体线，顺序地堆叠在第二有源图案上；第二隔离图案，围绕第二有源图案的侧壁、牺牲线的侧壁和半导体线的侧壁；以及第二晶体管，包括设置在半导体线和第二隔离图案上的第二栅极结构以及在竖直方向上彼此间隔开的第二沟道，第二沟道中的每个部分地延伸穿过第二栅极结构。