[发明专利]一种半导体缺陷剔除方法

说明书

一种半导体缺陷剔除方法。本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种半导体缺陷剔除方法。提供了一种利用半导体温度敏感特性，抓住缺陷部位和其它部位的载流子浓度对温度敏感程度存在较大差异的特点，可靠剔除微缺陷器件的半导体缺陷剔除方法。本发明在工作中，先对半导体施加正向电流，提升半导体结温；结温提升的情况下对半导体施加反向浪涌，可有效剔除常温下无法测试出的带有缺陷的半导体器件，可有效降低半导体失效率，提升半导体器件可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种半导体缺陷剔除方法。

背景技术

半导体芯片最原始的原物料是自然界中的石英砂，经过加工提纯变成高纯度的单晶硅棒，硅棒经过切割、扩散、光刻、注入、溅射、合金、封装、测试等工序，最终形成半导体器件。众所周知，半导体器件应用在电源、工控、通信、航空航天等国民经济的各项领域，可以说是有电的地方就有半导体器件的身影，所以器件本身的寿命及可靠性就显得尤为重要，直接影响到整机的性能及安全。

影响半导体器件可靠性的因素较多，从原物料的提纯到后续晶圆的加工和封装，每个工艺过程都不可避免地造成缺陷，具体表现在：硅晶体材料的位错、光刻及清洗过程的杂质残留等，这些缺陷中较大的部分可以通过后道封装的测试直接筛选掉，但微小缺陷并不影响器件的电参数及应用，常规的测试也无法剔除，但对器件长期的工作寿命有不利的影响。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种利用半导体温度敏感特性，抓住缺陷部位和其它部位的载流子浓度对温度敏感程度存在较大差异的特点，可靠剔除微缺陷器件的半导体缺陷剔除方法。

本发明的技术方案为：包括以下步骤：

S1、对半导体施加正向电流，提升半导体结温；

S2、在结温提升的情况下，对半导体施加反向浪涌；

S3、剔除带有缺陷的半导体器件。

步骤S1中，对半导体器件施加正向电流IF，持续时间为t1；

其中，正向电流的数值是半导体器件额定电流的3倍；t1 :40-80mS。

步骤S2中，间隔时间t2之后，施加反向浪涌；

其中，t2≤400uS，

反向电流：1A-10A；脉宽：2-100uS；周期：30-2000uS；冲击次数：1-100。

步骤S1中，提升半导体的结温至80-100℃。

本发明在工作中， 先对半导体施加正向电流，提升半导体结温；结温提升的情况下对半导体施加反向浪涌，可有效剔除常温下无法测试出的带有缺陷的半导体器件，可有效降低半导体失效率，提升半导体器件可靠性。

具体实施方式

本发明包括以下步骤：

S1、对半导体施加正向电流，提升半导体结温；

S2、在结温提升的情况下，对半导体施加反向浪涌；

S3、剔除带有缺陷的半导体器件。

步骤S1中，对半导体器件施加正向电流IF，持续时间为t1；

其中，正向电流的数值是半导体器件额定电流的3倍；t1 :40-80mS。

步骤S2中，间隔时间t2之后，施加反向浪涌；

其中，t2≤400uS，t2越小越好；

反向电流：1A-10A；脉宽：2-100uS；周期：30-2000uS；冲击次数：1-100。

步骤S1中，提升半导体的结温至80-100℃。