[发明专利]一种半导体缺陷剔除方法有效
| 申请号： | 201910486698.5 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110164801B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 景昌忠;王毅 | 申请（专利权）人： | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01R31/26 |
| 代理公司： | 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 | 代理人： | 周全;葛军 |
| 地址： | 225008 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 缺陷 剔除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体缺陷剔除方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对半导体施加正向电流，提升半导体结温；
S2、在结温提升的情况下，对半导体施加反向浪涌；
S3、剔除带有缺陷的半导体器件；
步骤S2中，间隔时间t2之后，施加反向浪涌；
其中，t2≤400uS，
反向电流：1A-10A；脉宽：2-100uS；周期：30-2000uS；冲击次数：1-100。
2.根据权利要求1所述的一种半导体缺陷剔除方法，其特征在于，步骤S1中，对半导体器件施加正向电流IF，持续时间为t1；
其中，正向电流的数值是半导体器件额定电流的3倍；t1 :40-80mS。
3.根据权利要求1所述的一种半导体缺陷剔除方法，其特征在于，步骤S1中，提升半导体的结温至80-100℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
