[发明专利]阵列基板检测键及显示面板在审
| 申请号： | 201910432885.5 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110112149A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 谭刚;贺超 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列基板检测 半导体层 显示面板 电能消耗 栅极绝缘层 多缓冲层 静电放电 氧化铟锡层 源漏电极层 玻璃基板 静电击伤 阵列基板 电势差 有机层 栅极层 静电 电阻 吸收 制程 平坦 概率 | ||
1.一种阵列基板检测键，由下至上依次包括玻璃基板、多缓冲层、栅极绝缘层、栅极层、源漏电极层、氧化铟锡层以及平坦有机层；
其特征在于，还包括半导体层，所述半导体层设于所述多缓冲层与栅极绝缘层之间，其能够吸收部分静电对电能消耗防止所述阵列基板检测键被炸伤；
其中，所述平坦有机层开设有一凹槽，所述凹槽贯穿所述平坦有机层并使所述氧化铟锡层裸露于凹槽内；所述氧化铟锡层、所述源漏电极层和所述栅极层电性连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述半导体层的厚度小于
3.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述半导体层的材料包括多晶硅。
4.根据权利要求3所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述多晶硅经注入磷离子进行掺杂处理。
5.根据权利要求3所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述多晶硅经注入硼离子进行掺杂处理。
6.根据权利要求3所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述多晶硅经注入铬离子进行掺杂处理。
7.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述半导体层的电阻值范围为108Ω-1012Ω。
8.根据权利要求1所述的阵列基板检测键，其特征在于，
所述多缓冲层包括：
遮光层；
第一缓冲层，位于所述遮光层上；以及
第二缓冲层，位于所述第一缓冲层背离所述遮光层上。
9.根据权利要求7所述的阵列基板检测键，其特征在于，所述第一缓冲层或所述第二缓冲层的材料包括SiNx或SiOx。
10.一种显示面板，包括至少一权利要求1-9任一项所述的阵列基板检测键。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
