[发明专利]一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件有效
| 申请号: | 201910244878.2 | 申请日: | 2019-03-28 |
| 公开(公告)号: | CN109778116B | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
| 发明(设计)人: | 郑勇;杜帅;丁文彪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 掩膜版 及其 制作方法 组件 | ||
本发明实施例提供一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件,涉及掩膜版领域,能够解决掩膜版在焊接时因激光能量不易控制而造成的焊接不良;该掩膜版包括掩膜图案区以及位于掩膜图案区四周的非掩膜图案区;掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区;有效掩膜区中包括:多个蒸镀孔,以及位于蒸镀孔和蒸镀孔之间的遮挡条;掩膜版在非掩膜图案区内设置有焊接区;掩膜版在非掩膜图案区内至少在焊接区的厚度,大于掩膜版在有效掩膜区的遮挡条的厚度。
技术领域
本发明涉及掩膜版领域,尤其涉及一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件。
背景技术
电子产品在制作过程中,往往需要采用掩膜版来形成各种图案膜层;例如,对于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示装置中有机发光层的蒸镀。
采用掩膜版在形成图案膜层时,往往需要将掩膜版进行张网,并焊接在框架上;然而由于掩膜版本身的厚度较小,在采用激光焊接时,激光的能量很难控制,如果激光的能量过大,容易造成焊穿现象,如果激光的能量过小,容易造成虚焊现象。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件,能够解决掩膜版在焊接时因激光能量不易控制而造成的焊接不良。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供的一种掩膜版,包括掩膜图案区以及位于所述掩膜图案区四周的非掩膜图案区;所述掩膜图案区包括至少一个有效掩膜区;所述有效掩膜区中包括:多个蒸镀孔,以及位于蒸镀孔和蒸镀孔之间的遮挡条;所述掩膜版在所述非掩膜图案区内设置有焊接区;所述掩膜版在所述非掩膜图案区内至少在所述焊接区的厚度,大于所述掩膜版在所述有效掩膜区的遮挡条的厚度。
在一些实施例中,所述掩膜图案区中包括两个以上的所述有效掩膜区,相邻所述有效掩膜区之间设置有间隔部,且所述间隔部与所述遮挡条的厚度相同。
在一些实施例中,所述掩膜版包括:沿所述掩膜版的厚度方向依次层叠设置的第一金属层和第二金属层;所述第一金属层在所述有效掩膜区中包括所述遮挡条,且所述第一金属层覆盖所述非掩膜图案区;所述第二金属层位于所述非掩膜图案区内,且至少覆盖所述第一金属层位于所述焊接区的部分。
在一些实施例中,所述第二金属层覆盖所述第一金属层位于所述非掩膜图案区的部分。
在一些实施例中,所述非掩膜图案区中包括:与所述掩膜图案区的四周相邻的过渡区;所述第二金属层在所述过渡区的厚度,沿靠近所述掩膜图案区的一侧到远离所述掩膜图案区的方向上,从第一厚度逐渐递增至第二厚度;所述第一厚度与所述遮挡条的厚度相等;所述第二厚度与所述第二金属层中除所述过渡区之外的部分的厚度相等。
在一些实施例中,所述过渡区沿靠近所述掩膜图案区的一侧到远离所述掩膜图案区的方向上的宽度为:1μm~3μm。
在一些实施例中,所述掩膜版在所述非掩膜图案区中,除所述过渡区之外的区域的厚度为20μm~30μm。
在一些实施例中,所述第二金属层中包括铜、钨中的至少一种。
在一些实施例中,位于所述有效掩膜区的所述遮挡条的厚度为:3μm~10μm。
本发明还实施例提供一种掩膜版组件,包括框架和至少一个如前述的掩膜版;所述框架中形成有开口;所述掩膜版横跨所述开口,并在焊接区与所述框架焊接。
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