[发明专利]复合结构物和其评价方法、半导体和显示屏制造装置

权利要求书

1.一种在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物，其特征为，

所述结构物包含多结晶陶瓷，

通过二次离子质谱分析法即Dynamic-Secondary Ion Mass Spectrometry_D-SIMS法测定出的测定深度为500nm或2μm的任意一个时的单位体积的氢原子数为7×10²¹atoms/cm³以下。

2.根据权利要求1所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，其特征为，所述结构物的单位体积的氢原子数为5×10²¹atoms/cm³以下。

3.一种在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，包含基体材料及设置在所述基体材料上且具有表面的结构物，其特征为，

所述结构物包含多结晶陶瓷，

通过氢正向散射分析法即HFS-卢瑟福背散射分光法即RBS及质子-氢正向散射分析法即p-RBS测定出的氢原子浓度为7原子%以下。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，其特征为，通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸为3nm以上、50nm以下。

5.根据权利要求4所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，其特征为，所述微晶尺寸为30nm以下。

6.根据权利要求5所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，其特征为，所述微晶尺寸为5nm以上。

7.根据权利要求1～3、5～6中任意一项所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，其特征为，从稀土类元素的氧化物、氟化物、氟氧化物以及这些的混合物中选择所述结构物。

8.根据权利要求7所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物，其特征为，所述稀土类元素是选自Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu中选择的至少一种。

9.一种半导体制造装置，其特征为，具备权利要求1～8中任意一项所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物。

10.一种显示屏制造装置，其特征为，具备权利要求1～8中任意一项所述的在要求抗粒子性的环境中使用的复合结构物。