[发明专利]一种扇出型倒置封装结构及其制备方法

说明书

本发明涉及一种扇出型倒置封装结构，包括重新布线层，在重新布线层的上表面设置芯片，再沿芯片自重新布线层凸起的形状涂覆一层有机物薄膜，有机物薄膜上为塑封层，在塑封层外露的一面设有均匀分布的沟槽。本发明还公开了此种扇出型倒置封装结构的制备方法。采用本发明的设计方案，在塑封芯片之前涂覆一层有机物树脂薄膜，可以起到帮助固定芯片位置的作用，可以减小在接下来的塑封以及重新布线层的制作过程中产生的芯片位置偏移；在塑封层上形成少量沟槽，这些沟槽可以释放和缓解整个塑封层在后续工艺步骤中产生的内应力并减小封装芯片的翘曲度。通过改善芯片偏移和翘曲度从而提到良率和可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种扇出型倒置封装结构及其制备方法。

背景技术

随着电子装置设备的集成度越来越高，对小型化高密度超薄封装提出了更高的要求，扇出型封装技术正得到业界越来越多的关注和应用。目前在晶圆级扇出型封装领域广泛采用的是基于英飞凌公司(Infineon)提出的嵌入式晶圆级球栅阵列eWLB技术(embeddedWafer Level BGA)，其主要流程为：

(1)在临时承载片上贴附热剥离膜；

(2)将要封装的芯片倒装(face down)贴装在载片的热剥离膜上；

(3)对芯片进行塑封，并去除临时承载片和热剥离膜；

(4)在塑封层上裸露出的芯片正面制作重新布线层并焊接锡球；

(5)对封装好的芯片进行单元切割；

该eWLB封装的两个技术难点在于如何有效减小芯片在塑封以及制作重新布线层等过程中可能产生的位置偏移，以及整个封装体在各个工艺步骤的温度升降过程中产生的热应力形成的翘曲，这直接关系到封装工艺的总体精度良率和可靠性。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于解决现有的eWLB封装无法有效减小芯片在塑封以及制作重新布线层等过程中可能产生的位置偏移，以及整个封装体在各个工艺步骤的温度升降过程中产生的热应力形成的翘曲的问题。

技术方案：本发明提供以下技术方案：

一种扇出型倒置封装结构，包括重新布线层，在重新布线层的上表面设置芯片，再沿芯片自重新布线层凸起的形状涂覆一层与凸起的形状适配的有机物薄膜，有机物薄膜上为塑封层。

此处重新布线层上采用的是设置，而非贴附，因为贴附是在临时载片上完成，而非在重新布线层上完成，重新布线层是在上部分完成后根据芯片的位置进行适应于芯片位置的重新布线层的制备。

进一步地，在塑封层外露的一面设有均匀分布的沟槽。

进一步地，在重新布线层的下表面金属触点位置涂覆有锡球。

进一步地，重新布线层由若干介电层和金属导电层构成。

进一步地，所述芯片的器件面朝向重新布线层。

进一步地，所述沟槽的宽度为0.5～5mm，沟槽的深度为50～500μm。

一种扇出型倒置封装结构的制备方法，包括以下步骤：

1)在临时载片表面粘附热剥离膜，该热剥离膜外露的表面为第一表面；

2)在步骤1)所得到的热剥离膜表面进行倒装芯片贴装，芯片的器件面朝向第一表面；

3)在芯片上面继续以旋涂方式涂覆一层有机树脂薄膜并固化；

4)将贴附在临时载片上的芯片和机树脂薄膜进行整体塑封，形成塑封层，该塑封层的表面为第二表面；

5)在塑封层的第二表面上制作沟槽；