[发明专利]半导体装置

说明书

本发明防止外壳中的裂缝的产生、伸展，来抑制可靠性的下降。在半导体装置(10)中，连接端子(15)的内部端子部(15a)的背面与外壳(14)的端子配置部(14c)固定连接。因此，即使半导体装置(10)暴露于热变化，连接端子(15)的内部端子部(15a)也会追随外壳(14)的端子配置部(14c)的变形而变形。因此，对于外壳(14)的整个端子配置部(14c)均匀地产生应力，对于端子配置部(14c)的薄弱部的应力集中被降低。其结果是，能够也降低在裂缝起点产生的应力，从而抑制裂缝的产生、伸展。因此，能够抑制半导体装置(10)的可靠性的下降。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

半导体装置包含多个电力用半导体元件，例如作为逆变器装置的电力转换元件而被使用。作为电力用半导体元件，有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、FWD(Free Wheeling Diode：续流二极管)等。另外，作为电力用半导体元件，有将IGBT与FWD一体化而成的RC(Reverse Conducting：反向导通)-IGBT、以及对于反向偏压也具有充分的耐压的RB(Reverse Blocking：反向阻断)-IGBT等。

这样的电力用的半导体装置的半导体元件经由焊料与陶瓷电路基板接合，半导体元件与作为连接端子的引线框的一端部电连接。此外，在半导体装置中，半导体元件和陶瓷电路基板收纳于外壳内。在外壳中，引线框被嵌件成型为引线框的一端部位于外壳的内侧，引线框的另一端部向外部延伸出(例如参照专利文献1、2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-014739号公报

专利文献2：日本特开2004-134624号公报

发明内容

技术问题

但是，像这样嵌件成型于外壳的连接端子伴随着成型时的固化收缩或工作时的热循环等热变化而与由树脂构成的外壳之间在膨胀收缩上产生差异。于是，因膨胀收缩的差异而导致的应力集中于外壳内的薄弱部，有可能导致裂缝的产生、伸展。此外，外壳内的薄弱部是指外壳内的应力增大、容易引起应力集中的微小的裂缝、划痕或角部等部分。如果在外壳内产生裂缝或者裂缝伸展，则会导致半导体装置的可靠性下降。

本发明是鉴于这样的方面而做出的，其目的在于提供防止外壳中的裂缝的产生、伸展来抑制可靠性的下降的半导体装置。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种半导体装置，其具有：半导体元件；连接端子，其与所述半导体元件电连接；以及外壳，其具备框部和端子配置部，所述框部围住收纳所述半导体元件的开口区域并埋设有所述连接端子的一部分，所述端子配置部从所述框部向所述开口区域侧突出，所述连接端子具有内部端子部，该内部端子部从所述框部向所述开口区域伸出，并且其与所述半导体元件电连接的正面在所述开口区域露出，背面与所述端子配置部固定连接。

另外，所述内部端子部在所述背面形成有粗面化区域，在所述粗面化区域形成有多个细微凹凸，所述多个细微凹凸的算术平均粗度是0.1μm以上且1000μm以下，所述内部端子部在所述背面的所述粗面化区域形成有多个细微孔。

另外，所述多个细微孔的平均直径是20nm以上且1000nm以下，所述内部端子部具备一对侧面，所述一对侧面与所述正面和所述背面垂直，并埋设于所述端子配置部，在所述一对侧面形成有所述粗面化区域。

另外，所述连接端子由铜、铝、镍、铁或至少包含它们中的一种的合金构成，所述外壳由聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚邻苯二甲酰胺树脂或尼龙树脂构成。