[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201910056430.8 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN110277352A | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 高桥圣一 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L23/10;H01L23/31 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金玉兰;王颖 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体装置 端子配置 裂缝 连接端子 内部端子 伸展 变形 应力集中 薄弱部 热变化 背面 追随 暴露 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
半导体元件;
连接端子,其与所述半导体元件电连接;以及
外壳,其具备框部和端子配置部,所述框部围住收纳所述半导体元件的开口区域并埋设有所述连接端子的一部分,所述端子配置部从所述框部向所述开口区域侧突出,
所述连接端子具有内部端子部,该内部端子部从所述框部向所述开口区域伸出,并且其与所述半导体元件电连接的正面在所述开口区域露出,背面与所述端子配置部固定连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述内部端子部在所述背面形成有粗面化区域,在所述粗面化区域形成有多个细微凹凸。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述多个细微凹凸的算术平均粗度是0.1μm以上且1000μm以下。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,
所述内部端子部在所述背面的所述粗面化区域形成有多个细微孔。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
所述多个细微孔的平均直径是20nm以上且1000nm以下。
6.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述内部端子部具备一对侧面,所述一对侧面与所述正面和所述背面垂直,并埋设于所述端子配置部,
在所述一对侧面形成有所述粗面化区域。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述连接端子由铜、铝、镍、铁或至少包含它们中的一种的合金构成。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述外壳由聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚邻苯二甲酰胺树脂或尼龙树脂构成。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述内部端子部的位于所述开口区域侧的第一前端部从所述端子配置部向所述开口区域侧露出。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一前端部比所述端子配置部的位于所述开口区域侧的第二前端部更向所述开口区域侧突出。
11.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,
所述第一前端部的两侧部与所述第二前端部对齐,所述第一前端部的中央部比所述第二前端部更向所述开口区域突出,在所述内部端子部构成有台阶。
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