[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审
申请号: | 201910017276.3 | 申请日: | 2015-09-09 |
公开(公告)号: | CN109742064A | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 何彦仕;张恕铭;沈信隆;苏昱豪;吴冠荣;郑怡 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/48;H01L23/522;H01L21/288;H01L21/48;H01L21/687;H01L21/768;H01L49/02;C25D17/00;C25D17/06;H01L23/525;H01L23/532 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘层 第二表面 保护层 焊垫 无源元件 凹孔 基底 晶片封装体 第一表面 重布线层 穿孔 晶片 电感元件 电性接触 连接部位 一端连接 便利性 穿孔的 封装体 壁面 种晶 制造 裸露 组装 | ||
1.一种晶片封装体的制造方法,其特征在于,包含下列步骤:
使用暂时粘着层将载体贴附于晶圆上,其中该晶圆具有基底、焊垫与保护层,该基底具有相对的第一表面与第二表面,该保护层位于该第一表面上,该焊垫位于该保护层中;
蚀刻该基底的该第二表面,使该基底形成穿孔;
蚀刻该穿孔中的该保护层,使该保护层形成凹孔,且该焊垫从该凹孔与该穿孔裸露;
形成绝缘层于该第二表面、该穿孔的壁面与该凹孔的壁面上;
形成重布线层于该绝缘层上与该焊垫上,其包含:将至少一导电装置的两端分别连接于导电环的两个接点;放置具有该绝缘层的该晶圆于该导电环中;浸泡该导电环于电镀液中;以及对该导电环通电,以于该绝缘层上形成待图案化的该重布线层,其中流经所述接点中的一个接点的部分电流通过该导电装置传输至所述接点中的另一接点;以及
图案化该重布线层,使该重布线层同步形成连接部与无源元件部,该连接部位于该绝缘层上且电性接触该焊垫,该无源元件部位于该第二表面的该绝缘层上,且该无源元件部的一端连接在该第二表面上的该连接部。
2.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,该导电环具有依序连接的顶面、壁面与支撑面,放置具有该绝缘层的该晶圆于该导电环中的步骤还包含:
放置该晶圆于该支撑面上,使该晶圆由该壁面环绕,其中该第一表面朝向该支撑面。
3.根据权利要求2所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包含:
设置所述接点与该导电装置于该导电环的该顶面。
4.一种晶片封装体的制造方法,其特征在于,包含下列步骤:
使用暂时粘着层将载体贴附于晶圆上,其中该晶圆具有基底、焊垫与保护层,该基底具有相对的第一表面与第二表面,该保护层位于该第一表面上,该焊垫位于该保护层中;
蚀刻该基底的该第二表面,使该基底形成穿孔;
蚀刻该穿孔中的该保护层,使该保护层形成凹孔,且该焊垫从该凹孔与该穿孔裸露;
形成绝缘层于该第二表面、该穿孔的壁面与该凹孔的壁面上;
形成重布线层于该绝缘层上与该焊垫上,其包含:将至少一导电件的两端的两个接点分别可移动地连接于导电环的环状轨道,其中该导电件与部分的该导电环重叠;放置具有该绝缘层的该晶圆于该导电环中;浸泡该导电环于电镀液中;以及对该导电环通电,以于该绝缘层上形成待图案化的该重布线层,其中流经所述接点中的一个接点的部分电流通过该导电件传输至所述接点中的另一接点;以及
图案化该重布线层,使该重布线层同步形成连接部与无源元件部,该连接部位于该绝缘层上且电性接触该焊垫,该无源元件部位于该第二表面的该绝缘层上,且该无源元件部的一端连接在该第二表面上的该连接部。
5.根据权利要求4所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,该导电环具有依序连接的顶面、壁面与支撑面,放置具有该绝缘层的该晶圆于该导电环中的步骤还包含:
放置该晶圆于该支撑面上,使该晶圆由该壁面环绕,其中该第一表面朝向该支撑面。
6.根据权利要求5所述的晶片封装体的制造方法,其特征在于,还包含:
于该顶面的该环状轨道上滑动该导电件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精材科技股份有限公司,未经精材科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910017276.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种封装结构及其制备方法
- 下一篇:电迁移测试结构及测试方法