[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。

技术领域

本发明涉及具有多孔金属氧化膜的半导体装置及其制造方法。

背景技术

例如，通过在酸性电解液中对铝进行阳极氧化时形成柱状的规则的细孔结构的自组织化来设置多孔金属氧化膜。这样的多孔金属氧化膜利用增大的表面积、细孔的内部空间、较高的规则性等，而研究了向滤波器、光子晶体、记录介质、传感器等的应用。

例如，专利文献1公开了如下的阳极氧化膜的制造方法：预先在支承基板设置通孔，之后将被阳极氧化膜粘合于支承基板，通过通孔取出阳极氧化的阳极用导线，在吸附支承基板的背面的同时使被阳极氧化膜整体浸渍于阳极氧化液来进行阳极氧化。

然而，在阳极氧化用的支承基板之上设置被阳极氧化膜来进行阳极氧化的方法中，需要从支承基板剥离通过阳极氧化制造出的多孔金属氧化膜(阳极氧化膜)，并转印到半导体装置等。另外，即使将具备被阳极氧化膜的半导体装置粘合于支承基板，在为了设置电路、元件等而在内部具有绝缘层的半导体装置中，也不能够进行基于相同的方法的阳极氧化膜的制造。

例如，在专利文献2的半导体装置的制造方法中，公开了在半导体装置的表面设置蚀刻为规定的图案的被阳极氧化膜的工序、和对被阳极氧化膜进行阳极氧化处理来形成多孔金属氧化膜的工序。

专利文献1：日本特开昭61－99339号公报

专利文献2：日本特开平11－006811号公报

然而，在专利文献2所记载的半导体装置的制造方法中，需要在半导体基板晶圆的表面侧，设置供给用于阳极氧化的化成电压的供电焊盘、将被阳极氧化膜与供电焊盘电连接的供电线等。因此，在半导体基板晶圆的单位表面积能够制造的半导体装置的数目减少。另外，若供电焊盘与各个被阳极氧化膜之间的距离、即供电线的长度不同，则阳极氧化的条件在各个被阳极氧化膜中变动，各个多孔金属氧化膜的品质变动。

发明内容

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供能够实现制造效率的改善的半导体装置。

本发明的一方式的半导体装置具备：半导体基板，具有相互对置的第一主面以及第二主面；以及多孔金属氧化膜，形成在半导体基板的第一主面侧，并且具有多个细孔，半导体基板构成为：在第一主面侧具有与多孔金属氧化膜电连接的连接部，并且从第二主面侧到第一主面侧的连接部提供供电路径。

本发明的其它的一方式的半导体装置的制造方法具备：准备具有相互对置的第一主面以及第二主面的半导体基板的工序；在半导体基板的第一主面侧设置被阳极氧化膜的工序；以及通过从半导体基板的第二主面侧进行供电，使设置在半导体基板的第一主面侧的被阳极氧化膜阳极氧化，来形成具有多个细孔的多孔金属氧化膜的工序。

根据本发明，能够提供能够实现制造效率的改善的半导体装置。

附图说明

图1是示意性地表示第一实施方式的半导体装置的构成的剖视图。

图2是示意性地表示第一实施方式的半导体装置的构成的俯视图。

图3是示意性地表示作为第一实施方式的半导体装置的电路的安装例的电路图。

图4是示意性地表示第一实施方式的半导体装置的制造方法中的形成被阳极氧化膜的工序的流程图。

图5是示意性地表示第一实施方式的半导体装置的制造方法中的进行阳极氧化的工序的流程图。