[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880079057.1 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN111448669A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;泽井宽美;德丸亮;竹内敏彦;村川努;永松翔;森若智昭 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/11551;H01L27/1156;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;李志强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
导电体；
与所述导电体的侧面接触的第一绝缘体；
与所述导电体的顶面及所述第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体；以及
所述第二绝缘体上的氧化物，
其中，所述氧化物具有隔着所述第二绝缘体与所述导电体重叠的区域，
所述导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)为6.0nm以下，
所述区域包含结晶，
并且，所述结晶的c轴取向于所述导电体的顶面的法线方向。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电体的顶面的粗糙度曲线要素的平均长度(RSm)小于60nm。
3.一种半导体装置，包括：
导电体；
与所述导电体的侧面接触的第一绝缘体；
与所述导电体的顶面及所述第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体；以及
所述第二绝缘体上的氧化物，
其中，所述氧化物具有隔着所述第二绝缘体与所述导电体重叠的区域，
所述导电体的顶面的粗糙度曲线要素的平均长度(RSm)为60nm以上，
所述区域包含结晶，
并且，所述结晶的c轴取向于所述导电体的顶面的法线方向。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)大于6.0nm。
5.一种半导体装置，包括：
导电体；
与所述导电体的侧面接触的第一绝缘体；
与所述导电体的顶面及所述第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体；以及
所述第二绝缘体上的氧化物，
其中，所述氧化物具有隔着所述第二绝缘体与所述导电体重叠的区域，
所述导电体的顶面的粗糙度曲线的算术平均高度(Ra)为0.5nm以下，
所述区域包含结晶，
并且，所述结晶的c轴取向于所述导电体的顶面的法线方向。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其中所述氧化物包含铟(In)、元素M(M为铝(Al)、镓(Ga)、钇(Y)或锡(Sn))、锌(Zn)及氧。
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