[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一场效应晶体管，包括至少两个沟道结构单元，每个沟道结构单元具有纳米线结构或纳米片结构；以及

第二场效应晶体管，具有鳍结构，其中，

所述沟道结构单元在所述第一场效应晶体管的厚度方向上彼此间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

当所述沟道结构单元的总高度为H_L并且所述第二场效应晶体管的沟道形成区域的高度为H_H时，满足

0.90≤H_L/H_H≤1.04。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

用于所述第一场效应晶体管的栅绝缘膜和栅电极形成在所述第一场效应晶体管的沟道结构单元中，并且

用于所述第二场效应晶体管的栅绝缘膜和栅电极形成在所述第二场效应晶体管的沟道形成区域中。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一场效应晶体管由n沟道第一场效应晶体管和p沟道第一场效应晶体管的组合构成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述n沟道第一场效应晶体管和所述p沟道第一场效应晶体管中的一个第一场效应晶体管中的沟道结构单元形成在奇数级的层中，并且另一第一场效应晶体管的沟道结构单元形成在偶数级的层中。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

所述n沟道第一场效应晶体管中的沟道结构单元包含Si，并且

所述p沟道第一场效应晶体管中的沟道结构单元包含SiGe。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二场效应晶体管由n沟道第二场效应晶体管和p沟道第二场效应晶体管的组合构成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

所述n沟道第二场效应晶体管中的沟道形成区域包含Si，并且

所述p沟道第二场效应晶体管中的沟道形成区域包含SiGe。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二场效应晶体管包括n沟道第二场效应晶体管。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一场效应晶体管是低耐压/场效应晶体管，并且

所述第二场效应晶体管是高耐压/场效应晶体管。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

施加到所述第一场效应晶体管的栅电极的电压为0.5伏至0.8伏，并且

施加到所述第二场效应晶体管的栅电极的电压是1.5伏至3伏。