[发明专利]半导体装置、功率模块和电源装置在审
申请号: | 201880075251.2 | 申请日: | 2018-08-20 |
公开(公告)号: | CN111373528A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 若本惠佑 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/467 | 分类号: | H01L23/467;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;陈彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 功率 模块 电源 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
具有在工作状态发热的半导体设备的热源,
与所述热源热连接的同时、在与所述热源的相反方向具有空间的热扩散部,和
配置在所述热扩散部的所述空间内且一端与所述热扩散部连接的多个散热片部。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
具有与所述热扩散部连接的基座部,
所述多个散热片部的各一端与所述基座部连接。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其中,
具有被所述热扩散部和所述多个散热片部包围的、所述热扩散部与所述多个散热片部的热接触空间部。
4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其中,
所述热扩散部具有铜(Cu)或均热板。
5.如权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其中,
所述热扩散部具备具有各向异性的热传导率的石墨基板。
6.如权利要求2所述的半导体装置,其中,
所述基座部具备具有各向异性的热传导率的石墨基板。
7.如权利要求5或6所述的半导体装置,其中,
在所述石墨基板的热传导率相对较高的取向方向配置所述石墨基板。
8.一种半导体装置,其特征在于,包括:
由在工作状态发热的半导体设备形成的热源,
与所述热源热连接的热扩散部,和
与所述热扩散部连接的多个散热部;
所述热扩散部具有在空间上包含所述散热部的冷却器。
9.如权利要求8所述的半导体装置,其中,
所述热扩散部具有开口部,包含所述散热部的空间在所述开口部开口。
10.如权利要求8所述的半导体装置,其中,
所述热扩散部以空间上封闭的状态包含所述散热部。
11.如权利要求9所述的半导体装置,其中,
所述散热部具有基座部以及与所述基座部连接的多个风冷散热片部,
所述基座部与所述热扩散部接触。
12.如权利要求9或11所述的半导体装置,其中,
所述散热部的一部分具有所述热扩散部与所述开口部以外的非接触部。
13.如权利要求11或12所述的半导体装置,其中,
以T1作为所述基座部的表面温度、T2作为所述风冷散热片部的根部温度、T3作为所述风冷散热片部的前端温度、LB(mm)作为所述基座部的基座长度,
RATIO=(T2-T3)/(T1-T2)的值为25/LB(mm)以下。
14.如权利要求8~13中任一项所述的半导体装置,其中,
构成所述热扩散部的材料的热传导率为构成所述散热部的材料的热传导率以上。
15.如权利要求8~14中任一项所述的具有冷却器的半导体装置,其中,
所述热扩散部具有铜(Cu)或均热板。
16.如权利要求8~14中任一项所述的具有冷却器的半导体装置,其中,
所述热扩散部具备具有各向异性的热传导率的石墨基板。
17.如权利要求11所述的半导体装置,其中,
所述基座部具备具有各向异性的热传导率的石墨基板。
18.如权利要求16或17所述的半导体装置,其中,
在所述石墨基板的热传导率相对较高的取向方向配置所述石墨基板。
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