[发明专利]使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路有效

专利信息
申请号: 201880057233.1 申请日: 2018-09-03
公开(公告)号: CN111052154B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 持田礼司;河野和幸;早田百合子;小野贵史;中山雅义 申请(专利权)人: 松下控股株式会社
主分类号: G06N3/063 分类号: G06N3/063;G06G7/60;G11C11/54
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 安香子
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 非易失性 半导体 存储 元件 神经网络 运算 电路
【权利要求书】:

1.一种使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,根据能够取第1逻辑值或第2逻辑值的数据的多个输入数据、与上述多个输入数据分别对应的多个耦合权重系数、以及上述多个输入数据与对应的上述耦合权重系数的乘加运算结果,输出第1逻辑值或第2逻辑值的输出数据,其特征在于,具备:

多个字线;

第1数据线;

第2数据线;

第3数据线;

第4数据线;

多个运算机构,各运算机构由第1非易失性半导体存储元件与第1单元晶体管的串联连接构成,上述第1非易失性半导体存储元件的一端连接于上述第1数据线,上述第1单元晶体管的一端连接于上述第2数据线,上述第1单元晶体管的栅极连接于上述字线,并且该运算机构由第2非易失性半导体存储元件与第2单元晶体管的串联连接构成,上述第2非易失性半导体存储元件的一端连接于上述第3数据线,上述第2单元晶体管的一端连接于上述第4数据线,上述第2单元晶体管的栅极连接于上述字线;

字线选择电路,将上述多个字线设为选择状态或非选择状态;

判定电路,判定在上述第1数据线和上述第3数据线、或者上述第2数据线和上述第4数据线上产生的电压值或电流值的大小关系,输出第1逻辑值或第2逻辑值的数据;以及

电流施加电路,连接于上述第1数据线、上述第2数据线、上述第3数据线及上述第4数据线中的至少1条,

在上述多个运算机构的上述第1非易失性半导体存储元件和上述第2非易失性半导体存储元件中保存多个耦合权重系数,

具有通过从上述电流施加电路向上述第1数据线、上述第2数据线、上述第3数据线及上述第4数据线中的任意1条施加电流来调整任意的耦合权重系数的功能,

上述字线选择电路根据上述多个输入数据,将上述多个字线设为选择状态或非选择状态,

上述判定电路将输出数据进行输出。

2.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,

上述电流施加电路中,

第1电流源的输入连接于第5数据线,

上述第5数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,并且/或者经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。

3.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,

上述电流施加电路中,

第1电流源的输入连接于第5数据线,第2电流源的输入连接于第6数据线,

上述第5数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,

上述第6数据线经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。

4.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,

上述电流施加电路中,

第1电流产生电路的一端连接于第7数据线,上述第1电流产生电路的另一端连接于第8数据线,

上述第7数据线或上述第8数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,并且/或者经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。

5.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,

上述电流施加电路中,

第1电流产生电路的一端连接于第7数据线,上述第1电流产生电路的另一端连接于第8数据线,

第2电流产生电路的一端连接于第9数据线,上述第2电流产生电路的另一端连接于第10数据线,

上述第7数据线或上述第8数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,

上述第9数据线或上述第10数据线经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。

6.如权利要求4所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,

上述电流产生电路由第1电阻元件构成,

上述第1电阻元件的一端连接于上述第7数据线,

上述第1电阻元件的另一端连接于上述第8数据线。

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