[发明专利]使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路有效
申请号: | 201880057233.1 | 申请日: | 2018-09-03 |
公开(公告)号: | CN111052154B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 持田礼司;河野和幸;早田百合子;小野贵史;中山雅义 | 申请(专利权)人: | 松下控股株式会社 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063;G06G7/60;G11C11/54 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 安香子 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 非易失性 半导体 存储 元件 神经网络 运算 电路 | ||
1.一种使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,根据能够取第1逻辑值或第2逻辑值的数据的多个输入数据、与上述多个输入数据分别对应的多个耦合权重系数、以及上述多个输入数据与对应的上述耦合权重系数的乘加运算结果,输出第1逻辑值或第2逻辑值的输出数据,其特征在于,具备:
多个字线;
第1数据线;
第2数据线;
第3数据线;
第4数据线;
多个运算机构,各运算机构由第1非易失性半导体存储元件与第1单元晶体管的串联连接构成,上述第1非易失性半导体存储元件的一端连接于上述第1数据线,上述第1单元晶体管的一端连接于上述第2数据线,上述第1单元晶体管的栅极连接于上述字线,并且该运算机构由第2非易失性半导体存储元件与第2单元晶体管的串联连接构成,上述第2非易失性半导体存储元件的一端连接于上述第3数据线,上述第2单元晶体管的一端连接于上述第4数据线,上述第2单元晶体管的栅极连接于上述字线;
字线选择电路,将上述多个字线设为选择状态或非选择状态;
判定电路,判定在上述第1数据线和上述第3数据线、或者上述第2数据线和上述第4数据线上产生的电压值或电流值的大小关系,输出第1逻辑值或第2逻辑值的数据;以及
电流施加电路,连接于上述第1数据线、上述第2数据线、上述第3数据线及上述第4数据线中的至少1条,
在上述多个运算机构的上述第1非易失性半导体存储元件和上述第2非易失性半导体存储元件中保存多个耦合权重系数,
具有通过从上述电流施加电路向上述第1数据线、上述第2数据线、上述第3数据线及上述第4数据线中的任意1条施加电流来调整任意的耦合权重系数的功能,
上述字线选择电路根据上述多个输入数据,将上述多个字线设为选择状态或非选择状态,
上述判定电路将输出数据进行输出。
2.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,
上述电流施加电路中,
第1电流源的输入连接于第5数据线,
上述第5数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,并且/或者经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。
3.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,
上述电流施加电路中,
第1电流源的输入连接于第5数据线,第2电流源的输入连接于第6数据线,
上述第5数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,
上述第6数据线经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。
4.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,
上述电流施加电路中,
第1电流产生电路的一端连接于第7数据线,上述第1电流产生电路的另一端连接于第8数据线,
上述第7数据线或上述第8数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,并且/或者经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。
5.如权利要求1所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,
上述电流施加电路中,
第1电流产生电路的一端连接于第7数据线,上述第1电流产生电路的另一端连接于第8数据线,
第2电流产生电路的一端连接于第9数据线,上述第2电流产生电路的另一端连接于第10数据线,
上述第7数据线或上述第8数据线经由第1开关晶体管连接于上述第1数据线或上述第2数据线,
上述第9数据线或上述第10数据线经由第2开关晶体管连接于上述第3数据线或上述第4数据线。
6.如权利要求4所述的使用非易失性半导体存储元件的神经网络运算电路,其特征在于,
上述电流产生电路由第1电阻元件构成,
上述第1电阻元件的一端连接于上述第7数据线,
上述第1电阻元件的另一端连接于上述第8数据线。
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