[发明专利]包含具有GaP沟道材料的晶体管的存储器单元

说明书

一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有竖直堆叠的存储器单元。所述存储器单元中的每个存储器单元包含与电荷存储装置耦合的晶体管，并且所述晶体管中的每个晶体管具有能带隙大于2电子伏特的沟道材料。一些实施例包含一种存储器阵列，所述存储器阵列具有沿竖直方向延伸的数位线和沿水平方向延伸的字线。所述存储器阵列包含存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元由所述数位线之一和所述字线之一的组合唯一地寻址。所述存储器单元中的每个存储器单元包含具有GaP沟道材料的晶体管。所述晶体管中的每个晶体管具有通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区与所述数位线耦合，并且所述存储器单元中的每个存储器单元包含与所述相关联的晶体管的所述第二源极/漏极区耦合的电容器。

技术领域

包含具有GaP沟道材料的晶体管的存储器单元。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统并且在计算机系统中用于存储数据。存储器可以被制造成一或多个由单独存储器单元构成的阵列。可以使用数位线(其也可以被称为位线、数据线、感测线或数据/感测线)和存取线(其也可以被称为字线)对存储器单元进行写入或读取。数位线可以将沿阵列的列的存储器单元导电互连，并且存取线可以将沿阵列的行的存储器单元导电互连。每个存储器单元可以通过数位线和存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可以将数据存储延长的时间段，包含计算机关机时。在许多情况下，易失性存储器每秒多次地耗散并且因此快速刷新/重写。无论如何，存储器单元均被配置成在至少两种不同的可选择状态下保留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些单独存储器单元可以被配置成存储两种以上信息水平或状态。

一些存储器单元可以包含晶体管与电容器(或其它适当的电荷存储装置)的组合。晶体管用于选择性地存取电容器并且可以被称为存取装置。电容器可以以电场的形式静电地将能量存储在两个电容器板之间的电容器电介质内。电容器的电气状态可以用于表示存储器状态。

附图说明

图1是示例存储器阵列的区域的图解视图。

图2是示例存储器阵列的区域的图解性截面侧视图并且展示了示例存储器单元。

图2A是沿图2的线2A-2A截取的图解性截面视图。

图3是示例存储器阵列的区域的图解视图。

具体实施方式

集成存储器可以形成为三维存储器阵列，在所述三维存储器阵列中，存储器单元彼此竖直堆叠。图1中图解性地展示了示例三维存储器阵列10的区域。存储器阵列10包括相对于下面的支撑衬底12竖直延伸的第一组导电线以及跨存储器阵列水平延伸的第二组导电线。第一组中的导电线被标记为数位线DL1、DL2、DL3和DL4；并且第二组中的导电线被标记为字线WL1、WL2和WL3。数位线沿存储器阵列的列延伸，其中此类列被标记为列A、列B、列C和列D。字线沿存储器阵列的行延伸，其中此类行被标记为行1、行2和行3。

存储器阵列10包括多个存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元通过数位线之一和字线之一唯一地寻址。存储器单元通过指示其相对于行和列的位置的描述语进行标记。例如，沿列A和行1的存储器单元被标记为单元A1；沿列B和行1的存储器单元被标记为单元B1，依此类推。存储器单元包含晶体管(T)与电容器(C)的组合。每个晶体管具有与相关联的数位线耦合的源极/漏极区(此类耦合通过线11图解性地展示)并且具有与电容器的存储节点耦合的另一源极/漏极区(此类耦合通过线13图解性地展示)。每个晶体管还具有与横跨晶体管的字线耦合的栅极。