[发明专利]包含具有GaP沟道材料的晶体管的存储器单元

权利要求书

1.一种存储器阵列，其包括竖直堆叠的存储器单元；所述存储器单元中的每个存储器单元包括与电荷存储装置耦合的晶体管；并且所述晶体管中的每个晶体管具有能带隙大于2电子伏特eV的沟道材料。

2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述沟道材料包括GaP。

3.根据权利要求2所述的存储器阵列，其中所述晶体管中的每个晶体管包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区相对于彼此竖直移位，并且其中所述沟道材料在竖直移位的第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间延伸。

4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区是彼此相同的组合物。

5.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区包括导电掺杂的硅。

6.根据权利要求4所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区包括金属。

7.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区是彼此不同的组合物。

8.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区包括导电掺杂的硅，并且所述第二源极/漏极区包括金属。

9.一种存储器阵列，其包括：

第一组导电线，所述第一组导电线沿竖直方向延伸；

第二组导电线，所述第二组导电线沿水平方向延伸；

多个存储器单元，其中所述存储器单元中的每个存储器单元通过来自所述第一组的所述导电线之一和来自所述第二组的所述导电线之一的组合唯一地寻址；并且

所述存储器单元中的每个存储器单元包括具有GaP沟道材料的晶体管。

10.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述存储器单元中的每个存储器单元包括与所述晶体管耦合的电容器。

11.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述第一组中的所述导电线是数位线，并且所述第二组中的所述导电线是字线。

12.根据权利要求11所述的存储器阵列，其中所述晶体管被配置为围绕所述数位线的环。

13.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所述晶体管中的每个晶体管包括通过所述GaP沟道材料彼此间隔开的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。

14.根据权利要求13所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区是彼此相同的组合物。

15.根据权利要求14所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区包括导电掺杂的硅。

16.根据权利要求14所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区包括金属。

17.根据权利要求13所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区是彼此不同的组合物。

18.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中所述第一源极/漏极区包括导电掺杂的硅，并且所述第二源极/漏极区包括金属。