[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供沿着侧面的漏电流或侧面的破裂、缺口、裂开等难以产生的纵型结构的半导体装置。半导体装置具备：半导体层(20)，其具有第一及第二电极形成面(20a、20b)和侧面(20c)；阳极电极(40)，其形成于第一电极形成面(20a)；阴极电极(50)，其形成于第二电极形成面(20b)；绝缘膜(30)，其以覆盖第一边缘(E1)的方式从第一电极形成面(20a)遍及侧面(20c)连续地形成。根据本发明，因为半导体层(20)的侧面(20c)被绝缘膜(30)覆盖，所以沿着侧面(20c)的漏电流降低。另外，因为侧面(20c)被绝缘膜(30)保护，所以侧面(20c)的破裂、缺口、裂开等难以产生。

技术领域

本发明涉及半导体装置，特别是涉及使电流沿基板的厚度方向流通的纵型的半导体装置。

背景技术

因为功率器件用半导体装置与通常的半导体装置相比需要流通非常大的电流，所以，大多采用使电流沿基板的厚度方向流通的纵型结构。例如，在专利文献1中公开有具有纵型结构的二极管。专利文献1所记载的二极管具有相当于台面槽的部分被保护膜覆盖的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2002-353227号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，专利文献1所记载的二极管存在因为作为切断面的晶圆的侧面露出，所以不仅容易产生沿着侧面的漏电流，还在侧面上容易产生破裂、缺口、裂开等问题。

因此，本发明的目的在于提供难以产生沿着侧面的漏电流及侧面的破裂、缺口、裂开等的纵型结构的半导体装置。

解决问题的技术手段

本发明的半导体装置，其特征在于，具备：半导体层，其具有第一电极形成面、位于所述第一电极形成面的相反侧的第二电极形成面、以及具有作为与所述第一电极形成面的边界的第一边缘及作为与所述第二电极形成面的边界的第二边缘的侧面；第一电极，其形成于所述第一电极形成面；第二电极，其形成于所述第二电极形成面；绝缘膜，其以覆盖所述第一边缘的方式从所述第一电极形成面遍及所述侧面连续地形成。

根据本发明，因为半导体层的侧面被绝缘膜覆盖，所以沿着侧面的漏电流降低。另外，因为侧面被绝缘膜保护，所以侧面的破裂、缺口、裂开等难以产生。但是，因为绝缘膜以覆盖第一边缘的方式从第一电极形成面遍及侧面连续地形成，所以能够由没有接缝的绝缘膜覆盖第一电极形成面和侧面。

在本发明中，优选，所述半导体层包含：构成所述第二电极形成面的半导体基板和设置于所述半导体基板上且构成所述第一电极形成面的外延层，所述第一至少一部分与所述外延层肖特基接触，所述第二电极与所述半导体基板欧姆接触。据此，能够构成肖特基势垒二极管。

该情况下，所述第一电极的另外的一部分优选形成在形成于所述第一电极形成面的所述绝缘膜上。据此，能够得到所谓场板结构。

在本发明中，所述半导体层优选由氧化镓构成。据此，因为可得到较大的带隙及较大的绝缘破坏电场，所以作为功率器件用的开关元件非常合适。

在本发明中，所述半导体层也可以具有截面从所述第一电极形成面朝向所述第二电极形成面扩大的锥形状。据此，在侧面容易形成绝缘膜。

发明的效果

这样，根据本发明，在具有纵型结构的半导体装置中，能够降低沿着侧面的漏电流及侧面的破裂、缺口、裂开等。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的半导体装置10的结构的截面图。

图2是半导体装置10的俯视图。

图3是表示半导体装置10的制造工序的流程图。