[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880022742.0 | 申请日： | 2018-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN110521004B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 平林润;藤田实;福光由章 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/365;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，
具备：
半导体层，其具有第一电极形成面、位于所述第一电极形成面的相反侧的第二电极形成面、以及具有作为与所述第一电极形成面的边界的第一边缘及作为与所述第二电极形成面的边界的第二边缘的侧面；
第一电极，其形成于所述第一电极形成面；
第二电极，其形成于所述第二电极形成面；
绝缘膜，其以覆盖所述第一边缘的方式从所述第一电极形成面遍及所述侧面连续地形成，
所述半导体层的所述侧面不露出而是整个面被所述绝缘膜覆盖，
所述第二电极的侧面不被所述绝缘膜覆盖而露出，
所述半导体层包含构成所述第二电极形成面的半导体基板和设置于所述半导体基板上且构成所述第一电极形成面的外延层，
所述第一电极的至少一部分与所述外延层肖特基接触，所述第二电极与所述半导体基板欧姆接触，
所述半导体基板及所述外延层遍及所述第一边缘及所述第二边缘之间而具有截面从所述第一电极形成面朝向所述第二电极形成面扩大的锥形状。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一电极的另外的一部分形成于在所述第一电极形成面形成的所述绝缘膜上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体层由氧化镓构成。
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