[发明专利]碳化硅层叠基板及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅层叠基板，具有：

第一导电型的第一基板，其为包含碳化硅的六方晶系半导体基板；

所述第一导电型的第一半导体层，其形成于所述第一基板上且包含碳化硅；

所述第一导电型的第二半导体层，其形成于所述第一半导体层上且包含碳化硅；和

所述第一导电型的第三半导体层，其形成于所述第二半导体层上且包含碳化硅，

所述第一半导体层与所述第一基板的上表面相接触，

所述第一半导体层的第一杂质浓度比所述第二半导体层的第二杂质浓度和所述第一基板的所述上表面的第四杂质浓度均低、且比所述第三半导体层的第三杂质浓度高，所述第二杂质浓度比所述第三杂质浓度高，所述第四杂质浓度比所述第二杂质浓度高，

所述第一半导体层的所述第一杂质浓度比1×10¹⁶cm^－3大且为1×10¹⁷cm^－3以下，

所述第一基板的所述上表面的所述第四杂质浓度比1×10¹⁸cm^－3大且为1×10¹⁹cm^－3以下。

2.根据权利要求1所述的碳化硅层叠基板，其中，

所述第二杂质浓度为1×10¹⁷cm^－3以上且低于1×10¹⁹cm^－3。

3.根据权利要求1所述的碳化硅层叠基板，其中，

所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层为外延层。

4.一种碳化硅层叠基板，具有：

第一导电型的第二基板，其为包含碳化硅的六方晶系半导体基板；

所述第一导电型的第五半导体层，其形成于所述第二基板上且包含碳化硅；

所述第一导电型的第一半导体层，其形成于所述第五半导体层上且包含碳化硅；

所述第一导电型的第二半导体层，其形成于所述第一半导体层上且包含碳化硅；和

所述第一导电型的第三半导体层，其形成于所述第二半导体层上且包含碳化硅，

所述第一半导体层与所述第五半导体层的上表面相接触，

所述第一半导体层的第一杂质浓度比所述第二半导体层的第二杂质浓度和所述第五半导体层的所述上表面的第五杂质浓度均低、且比所述第三半导体层的第三杂质浓度高，所述第二杂质浓度比所述第三杂质浓度高，所述第二基板的第六杂质浓度比所述第二杂质浓度低，

所述第二基板的所述第六杂质浓度为5×10¹⁷cm^－3以下,

所述第五杂质浓度为1×10¹⁷cm^－3以上，

在作为基板表面的所述第三半导体层和所述第五半导体层之间，形成有所述第一杂质浓度比1×10¹⁶cm^－3大且为1×10¹⁷cm^－3以下的一层的所述第一半导体层。

5.根据权利要求4所述的碳化硅层叠基板，其中，

所述第二杂质浓度为1×10¹⁷cm^－3以上且低于1×10¹⁹cm^－3。

6.根据权利要求4所述的碳化硅层叠基板，其中，

所述第五半导体层、所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层为外延层。

7.根据权利要求4所述的碳化硅层叠基板，其中，

所述第五半导体层的下表面具有比所述第五杂质浓度低的第九杂质浓度，

所述第五半导体层具有随着从所述第五半导体层的所述下表面去往所述第五半导体层的所述上表面杂质浓度逐渐变高的浓度梯度。