[实用新型]芯片封装结构

说明书

本实用新型公开了一种芯片封装结构和封装方法，包括：底面相对贴合的第一芯片和第二芯片；多个导电柱，分布在第一芯片周围；引线，连接在第二芯片正面和金属端子的第一面之间；封装层，包封第一芯片、第二芯片、引线、导电柱，具有第一表面及与第一表面相对立的第二表面，第一表面暴露第一芯片的正面和导电柱的第二面，第二表面暴露第二芯片正面的预设区域；引出层，设置在封装层的第一表面上，分别与导电柱的第一面和/或第一芯片的正面电连接。堆叠的芯片之间连接，无需设置基板进行转接，其中上层芯片通过引线与导电柱将焊盘引出，可以满足堆叠芯片引脚的扇出，在封装层上形成暴露第二芯片正面的预设区域，较好的满足特定芯片的应用。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片封装结构。

背景技术

随着半导体工业的发展，出于对更低成本、更高性能、更大集成电路密度的持续需求，叠层封装(Package on Package，POP)技术已经越来越普及；尤其随着移动通讯设备的兴起，片上系统(SoC)技术与存储器技术的集成更几乎成为高端产品的标配。

目前，POP通常采用上下两层封装叠加而成，封装内芯片通过金线键合底层封装体到基板上，同样的，上层封装中的芯片通过金线再将两个封装层之间的基板键合,然后整个封装成一个整体的封装体。然而在封装过程中，上下堆叠的封装体都需要使用基板，堆叠封装的整体高度偏高，难以满足电子产品小型化的需求。

实用新型内容

因此，本实用新型提供一种芯片封装结构，降低封装体的翘曲变形。

本实用新型实施例提供了一种芯片封装结构，至少包括：底面相对贴合的第一芯片和第二芯片；多个金属端子，分布在所述第一芯片周围，所述金属端子的一面与所述第一芯片的正面在同一平面；引线，连接在所述第二芯片正面和金属端子的另一面之间；封装层，包封所述第一芯片、第二芯片、引线以及金属端子，具有第一表面及与所述第一表面相对立的第二表面，所述第一表面与所述金属端子的一面与所述第一芯片的正面在同一平面；引出层，设置在所述封装层的第一表面上，分别与所述金属端子的一面第一芯片的正面电连接。

可选地，所述引出层包括：第一重布线层，所述布线层形成在所述封装层的第一表面，与所述第一芯片正面和部分金属端子的一面电连接。过孔。

可选地，所述引出层还包括：介质层，设置在所述布线层的表面，具有多个过孔；第二重布线层，设置在所述介质层表面，通过所述过孔分别与所述第一重布线层、所述金属端子的一面以及所述第一芯片的正面中的至少之一电连接。

可选地，引出层还包括：引脚，分布在所述第二重布线层上。

可选地，所述封装层的第一表面暴露所述金属端子的一面和第一芯片的正面。

可选地，所述封装层包括塑封层。

可选地，所述第一芯片和所述第二芯片之间包括焊接层、烧结层或粘接层中的任意一种。

本实用新型技术方案，具有如下优点：

相比于现有技术中的芯片封装结构，堆叠的芯片之间连接，无需设置基板进行转接，其中上层芯片通过引线与导电柱将焊盘引出，可以满足堆叠芯片引脚的扇出，另外，在封装层上形成暴露第二芯片正面的预设区域，可以较好的满足特定芯片的应用。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的芯片装结构截面示例的结构图；

图2～图13为本实用新型实施例提供的芯片封装结构的封装方法具体示流程图。