[实用新型]一种高速开关二极管芯片有效
| 申请号： | 201821950441.8 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN209029388U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵志桓;巩光昊;张礼;王传超;潘莹月;刘伟丽;郭英华;刘彩虹;王春凤;唐雪娇 | 申请（专利权）人： | 山东农业工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/06;H01L29/43;H01L21/285;H01L21/56;H01L21/329 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 黄海丽 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化层 高速开关二极管 上表面 本实用新型 芯片 隔断槽 外延层 引线孔 上光 衬底上表面 反向漏电流 环形隔断 击穿电压 扩散区 蒸铝层 衬底 光刻 截断 生长 延伸 | ||
1.一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述芯片横截面为圆形，包括：
衬底，所述衬底上表面生长有外延层；所述外延层上表面为第一氧化层，所述第一氧化层上光刻环形隔断槽，所述隔断槽内为扩散区，所述隔断槽外为截断环；
所述第一氧化层上表面为第二氧化层，所述第二氧化层上光刻引线孔；
所述光刻引线孔内延伸至第二氧化层上表面设有蒸铝层。
2.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述衬底的材料选择＜111＞为晶向，电阻率为0.006Ω·cm～0.008Ω·cm的低阻硅单晶片。
3.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述外延层的材料选择生长有厚度8μm～12μm、掺杂浓度Nc＝1.7～1.8×1015/cm3外延层的硅晶片。
4.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述的扩散结深最大为3μm。
5.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述衬底下表面设有蒸金层。
6.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述芯片上表面围绕蒸铝层还设有钝化层。
7.如权利要求6所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述第一氧化层和第二氧化层为二氧化硅层；所述钝化层为二氧化硅/四氮化三硅混合层。
8.如权利要求1所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述芯片的横向版图上，扩散区面积不大于1.33×105μm2。
9.如权利要求8所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述版图上蒸铝层未被钝化层覆盖的区域为键合区，面积不小于7850μm2。
10.如权利要求8所述的一种高速开关二极管芯片，其特征在于，所述版图最大线宽1μm。
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