[实用新型]小外形晶体管SOT封装结构

说明书

本实用新型涉及一种小外形晶体管SOT封装结构。该SOT封装结构包括引线框架和塑封于引线框架外的塑封体，引线框架包括位于塑封体上侧间隔布置的第一管脚和第二管脚以及位于塑封体下侧间隔布置的第三管脚和第四管脚，所示第一管脚和第二管脚相向的两边的距离大于1mm，第三管脚和第四管脚相向的两边的距离大于1mm,引线框架的中部设置有基岛，用于贴合芯片。上述SOT封装结构通过设置四个管脚，满足了大部分产品的封装要求，同时增加了管脚之间的距离，实现了良好的爬电保护，降低了产品的制造难度从而降低了不良品的产出。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别是涉及一种小外形晶体管SOT封装结构。

背景技术

在电路板的制作过程中，伴随着成本的控制和成品小小型化的要求，对集成电路器件的密度要求越来越高，同时还不能降低产品的可靠性，因而出现了小外型晶体管SOT23封装结构。SOT23封装结构包含SOT23-3和SOT23-5封装形式。

如图1所示为小外形晶体管SOT23-3封装结构的示意图，该SOT23-3封装结构包括引线框架和塑封于引线框架外的塑封体10，该引线框架包括位于塑封体上侧的第一管脚11以及位于塑封体下侧间隔设置的第二管脚12和第三管脚13。这种封装结构生产的产品类型受限。

如图2所示为小外形晶体管SOT23-5封装结构的示意图，该SOT23-5封装结构包括引线框架和塑封于引线框架外的塑封体20，该引线框架包括位于塑封体上侧间隔设置的第一管脚21和第二管脚22，以及位于塑封体下侧间隔设置的第三管脚23、第四管脚24和第五管脚25。这种封装结构特别容易出现高压爬电现象，从而增加了产品的制造难度和不良品的产出。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种小外形晶体管SOT封装结构。

一种小外形晶体管SOT封装结构，所述的SOT封装结构包括：引线框架和塑封于引线框架外的塑封体，所述引线框架包括位于所述塑封体上侧间隔布置的第一管脚和第二管脚以及位于所述塑封体下侧间隔布置的第三管脚和第四管脚，所示第一管脚和所述第二管脚相向的两边的距离大于1mm，所述第三管脚和所述第四管脚相向的两边的距离大于1mm,所述引线框架的中部设置有基岛，用于贴合芯片。

上述SOT封装结构通过设置四个管脚，满足了大部分产品的封装要求，同时增加了管脚之间的距离，实现了良好的爬电保护，降低了产品的制造难度从而降低了不良品的产出。

在其中一个实施例中，所述第一管脚和所述第三管脚在纵向方向上相对应，所述第二管脚和所述第四管脚在纵向方向上相对应。

在其中一个实施例中，所述塑封体的长度为2.80mm-3.00mm之间，所述塑封体的宽度为1.50mm-1.70mm之间。

在其中一个实施例中，所述第一管脚和所述的第二管脚相背的两边与所述塑封体的边沿相距0.335mm，或者所述第三管脚和所述第四管脚相背的两边和所述塑封体的边沿相距0.335mm。

在其中一个实施例中，所述第一管脚和所述第二管脚的相背的两边、以及所述第三管脚和所述第四管脚相背的两边均与所述塑封体的边沿相距0.335mm。

在其中一个实施例中，所述的塑封体的宽度为1.60mm，所述塑封体的长度为2.92mm。

在其中一个实施例中，所述第一管脚中心和所述第二管脚中心相距1.90mm，或者，所述第三管脚中心和所述第四管脚中心相距1.90mm。

在其中一个实施例中，所述第一管脚中心和所述第二管脚中心、以及所述第三管脚中心和所述第四管脚中心均相距1.90mm。

在其中一个实施例中，所述第一管脚和所述第二管脚相向的两边相距1.55mm，或者所述第三管脚和所述第四管脚相向的两边相距1.55mm。这样可以保证拥有良好的爬电保护，同时兼顾部分电路板的加工精度。