[实用新型]太阳能电池片

说明书

本实用新型提供了一种太阳能电池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触。本实用新型的太阳能电池片，通过设置缓冲掺杂区，且缓冲掺杂区的方阻介于轻掺杂区与重掺杂区之间，当由于工艺误差电极与重掺杂区不能完全重合时，缓冲掺杂区可以与偏移的电极形成欧姆接触，由于其掺杂适中，不会导致少子寿命严重偏低，大大改善了电池的效率。

技术领域

本申请涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种电池效率较高的太阳能电池片。

背景技术

在太阳能电池制造工艺中，扩散掺杂制备PN结是主要的工序之一。扩散工序在掺杂磷原子制备发射极的过程中，较轻的掺杂可以减少少子复合，增加少子寿命，但较轻的掺杂导致了金属电极银与硅接触不好，增大了接触电阻。选择性发射极是一种在金属电极区域重掺杂，在非金属区域轻掺杂的扩散技术，这样既可以保证银与硅接触又可以增加少子寿命。

激光掺杂选择性发射极(LDSE)是利用激光光束选择性的照射硅表面，使硅衬底变成熔融状态，掺杂原子可以迅速进入熔融硅中，当激光光束消失后，熔融的硅冷却结晶，掺杂原子就进入硅晶体中，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极中的一种制备流程如下：制绒→扩散→激光掺杂→刻蚀→PECVD镀膜→丝网印刷→烧结测试。

其中，在激光掺杂工序中，激光按照丝网印刷网版图形进行光照掺杂，在后道丝网印刷图形区域形成重掺杂。如图1所示，在硅片1’表面具有轻掺杂区 11’和重掺杂区13’；由于丝网印刷会存在部分硅片1’偏移和随着网版使用寿命，栅线2’逐渐变宽等因素影响，激光重掺杂区域13’的宽度必须远远大于栅线2’的宽度，典型的例子中，激光掺杂宽度80um，银栅线宽度40um。由于重掺杂区域的宽度大于银栅线的宽度，导致未与银栅线接触的重掺杂区复合严重，少数载流子寿命低，影响电池100’的效率。

有鉴于此，有必要提供一种改进的太阳能电池片，以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电池效率较高的太阳能电池片。

为实现上述实用新型目的，本实用新型提供一种太阳能电池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触。

作为本实用新型的进一步改进，位于所述重掺杂区宽度方向两侧的所述缓冲掺杂区的宽度介于所述重掺杂区宽度的1/4～3/4之间。

作为本实用新型的进一步改进，位于所述重掺杂区宽度方向两侧的所述缓冲掺杂区的宽度均为所述重掺杂区宽度的1/2。

作为本实用新型的进一步改进，位于所述重掺杂区宽度方向两侧的所述缓冲掺杂区的宽度相同或不同。

作为本实用新型的进一步改进，所述重掺杂区的宽度为所述电极宽度的0.8 倍～1.2倍。

作为本实用新型的进一步改进，所述重掺杂区的宽度与所述电极的宽度相同。

作为本实用新型的进一步改进，所述轻掺杂区的方阻为130ohm±20ohm，所述缓冲掺杂区的方阻为100ohm±20ohm，所述重掺杂区的方阻为60ohm± 10ohm。

作为本实用新型的进一步改进，所述硅片为P型硅，所述扩散层为磷扩散层。

作为本实用新型的进一步改进，所述硅片为N型硅，所述扩散层为硼扩散层。