[实用新型]直流支撑电容器用阶梯式高方阻金属化膜有效
申请号: | 201620168718.6 | 申请日: | 2016-03-07 |
公开(公告)号: | CN205428701U | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 陈家骅 | 申请(专利权)人: | 浙江台州特总电容器有限公司 |
主分类号: | H01G4/015 | 分类号: | H01G4/015 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 王官明 |
地址: | 318020 浙江省台*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 直流支撑电容器用阶梯式高方阻金属化膜,包括塑料薄膜和金属镀层构成的金属化膜,所述的金属镀层为阶梯式方阻镀层,包括第一方阻镀层、第二方阻镀层和第三方阻镀层,第一方阻镀层的高度H1为90nm,第二方阻镀层的高度H2为30nm,第三方阻镀层的高度H3为3—4nm。本方案将金属镀层设计成阶梯式方阻镀层,包括第一方阻镀层、第二方阻镀层和第三方阻镀层,由于产品对电流要求不高,在对称的两块金属化膜卷绕出来的电容器元件上面,只要出现薄弱点,就能够将高方阻部分的金属镀层层迅速气化而蒸发,薄膜自愈。由于薄弱点的面积甚小,对产品的电容量损失几乎为零,所以这种阶梯式高方阻金属化膜结构的材料特别适合直流支撑电容器的广泛使用。 | ||
搜索关键词: | 直流 支撑 电容 器用 阶梯 式高方阻 金属化 | ||
【主权项】:
直流支撑电容器用阶梯式高方阻金属化膜,包括塑料薄膜(1)和金属镀层(2)构成的金属化膜(3),其特征在于所述的金属镀层(2)为阶梯式方阻镀层,包括第一方阻镀层(4)、第二方阻镀层(5)和第三方阻镀层(6),第一方阻镀层(4)的高度H1为90nm,第二方阻镀层(5)的高度H2为30nm,第三方阻镀层(6)的高度H3为3—4nm。
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- 本发明涉及一种自愈性高方阻薄膜电容器,属于电容器技术领域,所述电容器内薄膜电极由一块金属化薄膜分切而成,所述金属化薄膜包括基膜,所述基膜上均匀蒸镀有一层Al层,所述Al层上蒸镀有一层截面为“Ω”形状的Zn层,所述金属化薄膜两侧超出Al层和Zn层后形成空白区。该技术方案采用一块金属化薄膜分切成两块薄膜电极,确保两块薄膜电极材质、性能基本相同,产品使用稳定性更高,有益效果显著。
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- 朴大镇;全用洹;韩基柱;朴真我 - 纽茵泰克株式会社
- 2015-09-25 - 2016-06-22 - H01G4/015
- 一种提高散热性与轻量化的三段式电容器用沉积膜,在沉积了金属并由2个1组相向重叠构成的电容器用沉积膜中,在电介质的宽度方向一侧端,利用金属沉积形成有与电容器的喷镀金属通电的喷镀金属接触部,在电介质的宽度方向另一侧端,形成有未沉积金属的边缘部,在喷镀金属接触部与边缘部之间沉积有金属,形成运转区域;运转区域包括:第1运转区域,其位于电介质的宽度方向一侧,邻接所述喷镀金属接触部;第2运转区域,其位于电介质的宽度方向另一侧,邻接所述边缘部;第2运转区域的沉积厚度构成得比第1运转区域的沉积厚度薄;喷镀金属接触部的沉积厚度比第1运转区域的沉积厚度厚;第1运转区域的沉积厚度比第2运转区域的沉积厚度厚。
- 一种T型安全膜防爆电容器-201410616295.5
- 谢志懋;王占东 - 佛山市南海区欣源电子有限公司;广东欣源智能电子有限公司
- 2014-11-06 - 2016-05-25 - H01G4/015
- 本发明公开了一种T型安全膜防爆电容器,包括电容器芯子1,所述电容器芯子1由两层平行设置的薄膜介质2、位于薄膜介质2上的金属镀层电极3、喷在金属镀层电极3表面的喷金层和焊接在喷金层上的引线4四部分构成的,所述金属镀层电极3由位于薄膜介质2上的普通金属膜5和设置在普通金属膜5表面下半区域内的T型金属化安全膜6两部分构成的。利用本发明的技术方案制作的T型安全膜防爆电容器,结构简单,设计新颖,容量精度高,高频损耗小,耐电流能力强,安全系数高。
- 一种电容用安全型金属化薄膜-201620005934.9
- 汪祥久 - 昆山泓电隆泰电子材料有限公司
- 2016-01-04 - 2016-05-25 - H01G4/015
- 本实用新型公开了一种电容用安全型金属化薄膜,其金属层设在介质层上表面,介质层一端设有留边,金属层一端设有加厚层;其金属层中部设有纵向绝缘条,纵向绝缘条把金属层分成全金属化导电层和局部金属化导电层;其横向绝缘条一端和纵向绝缘条相接,另一端延伸至局部金属化导电层边界;其横向绝缘条接有T型绝缘块,左右相邻两个T型绝缘块之间均设有横向保险丝,上下相邻两个T型绝缘块以及横向绝缘条之间均设有纵向保险丝;本实用新型金属化薄膜动作响应快,防爆、自愈安全可靠,并且抗电强度大,延长了电容器的使用寿命,另外还大大降低了电容器的工序成本。
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