[实用新型]反熔丝结构

权利要求书

1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底中形成有多个隔离结构，所述隔离结构自所述衬底上表面延伸至所述衬底中，所述隔离结构呈环形并圈起部分所述衬底；

一功能阱，形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中，所述功能阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中；

一第一底部隔离阱，形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中，所述第一底部隔离阱同图形位于所述功能阱的下方，其中所述功能阱和所述第一底部隔离阱分属不同离子注入类型；

一侧部隔离阱，与所述功能阱图案互补方式形成在所述衬底中，所述侧部隔离阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中并包覆所述隔离结构，以隔离相邻的所述功能阱；

一第二底部隔离阱，形成在所述衬底中，所述第二底部隔离阱同图形位于所述侧部隔离阱的下方，其中所述第一底部隔离阱、所述侧部隔离阱和所述第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱相连成一底部隔离阱组合层；及

一反熔丝，所述反熔丝形成在所述功能阱上。

2.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述功能阱和所述侧部隔离阱在所述衬底中的深度相同，所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱在所述衬底中的深度相同。

3.如权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述衬底上形成有一介质层，所述介质层覆盖所述功能阱；所述反熔丝包括：

一反熔丝有源区，所述反熔丝有源区形成在所述功能阱中，所述反熔丝有源区自所述功能阱上表面延伸至所述功能阱中；

一导电层，所述导电层形成在所述介质层上，并且所述介质层覆盖在所述导电层下的部分间隔所述导电层和所述反熔丝有源区；及

所述介质层间隔在所述导电层和所述反熔丝有源区之间的间隔部分。

4.如权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述介质层的厚度小于40埃。

5.如权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，所述导电层延伸覆盖所述侧部隔离阱的部分。

6.如权利要求3～5中任一所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构还包括一接触点，形成在所述反熔丝有源区中，所述接触点自所述反熔丝有源区在所述导电层的覆盖区域外的上表面部分延伸至所述反熔丝有源区中。

7.一种反熔丝结构，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底中形成有多个隔离结构，所述隔离结构自所述衬底上表面延伸至所述衬底中，所述隔离结构呈环形并圈起部分所述衬底；

一功能阱，形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中，所述功能阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中；

一第一底部隔离阱，形成在所述隔离结构圈起的所述衬底中，所述第一底部隔离阱同图形位于所述功能阱的下方，其中所述功能阱和所述第一底部隔离阱分属不同离子注入类型；

一第二底部隔离阱，与所述功能阱图案互补方式形成在所述衬底中，所述第二底部隔离阱自所述衬底上表面延伸至所述衬底中，以隔离相邻的所述功能阱，其中所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱属于相同离子注入类型，所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱相连成一隔离所述功能阱的底部隔离阱组合层；及

一反熔丝，所述反熔丝形成在所述功能阱上。

8.如权利要求7所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第二底部隔离阱覆盖所述隔离结构的内侧壁。

9.如权利要求7所述的反熔丝结构，其特征在于，所述第一底部隔离阱和所述第二底部隔离阱在所述衬底中的深度相同。