[发明专利]高压MOS晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210577054.5 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103035733B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 唐树澍 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 高压MOS晶体管结构及其制造方法。栅极多晶硅布置在第一轻掺杂区和第二轻掺杂区之间位置处，栅极多晶硅通过栅极氧化物与中部阱区隔开；第一电位连接阱区邻接第一侧部，第二电位连接阱区邻接第二侧部；第一深阱、第一隔离阱区和第二隔离阱区、及第一轻掺杂区和第二轻掺杂区具有第一掺杂类型；中部阱区、第一侧部区、第二侧部区、第一和第二电位连接阱区具有第二掺杂类型；第一电位连接阱区与第一轻掺杂区通过第一氧化物隔离区隔开；第二电位连接阱区和第二轻掺杂区通过第二氧化物隔离区隔开；第一隔离阱区与第一电位连接阱区邻接，第二隔离阱区与第二电位连接阱区邻接；第一隔离阱区和第二隔离阱区上部分别布置第三氧化物隔离区和第四氧化物隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 mos 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压MOS晶体管结构，其特征在于包括：布置在硅片中的第一深阱；布置在第一深阱中的中部阱区、第一侧部、第二侧部、第一隔离阱区和第二隔离阱区、第一电位连接阱区和第二电位连接阱区、第一轻掺杂区和第二轻掺杂区；布置在硅片表面上的栅极多晶硅；所述栅极多晶硅布置在第一轻掺杂区和第二轻掺杂区之间的位置处，并且，所述栅极多晶硅通过布置在硅片表层的栅极氧化物与中部阱区隔开；其中，第一隔离阱区和第二隔离阱区相对于所述栅极多晶硅对称布置；第一电位连接阱区和第二电位连接阱区相对于所述栅极多晶硅对称布置；第一侧部区和第二侧部区相对于所述栅极多晶硅对称布置；第一轻掺杂区和第二轻掺杂区相对于所述栅极多晶硅对称布置；其中，第一电位连接阱区邻接第一侧部，第二电位连接阱区邻接第二侧部；其中，第一深阱、第一隔离阱区和第二隔离阱区、以及第一轻掺杂区和第二轻掺杂区具有第一掺杂类型；中部阱区、第一侧部区、第二侧部区、第一电位连接阱区和第二电位连接阱区具有第二掺杂类型；而且，第一电位连接阱区与第一轻掺杂区通过第一氧化物隔离区隔开；第二电位连接阱区和第二轻掺杂区通过第二氧化物隔离区隔开；第一隔离阱区与第一电位连接阱区邻接，第二隔离阱区与第二电位连接阱区邻接；第一隔离阱区和第二隔离阱区上部分别布置了第三氧化物隔离区和第四氧化物隔离区。
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