[实用新型]一种高效的管式炉上下料系统有效
申请号: | 201821038840.7 | 申请日: | 2018-06-29 |
公开(公告)号: | CN208315522U | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 林佳继;庞爱锁;刘群;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;苏芳 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 花篮 上下料 硅片 上下料系统 本实用新型 传送带装置 机械手 管式炉 缓存 上料装置 设备产能 下料装置 一次性 伸缩 产能 导片 多列 放入 炉管 取放 上料 下料 取出 自动化 传送 垂直 | ||
本实用新型公开一种高效的管式炉上下料系统,传送带装置用于将硅片在导片花篮装置、缓存花篮装置、中转花篮装置之间传送,且传送带装置的一端可从中转花篮装置的第一侧伸缩进出其内部;所述机械手用于沿垂直于第一方向的第二方向从每一上料装置或下料装置的中转花篮装置第一侧的相邻一侧插入,一次性将若干中转花篮装置中的硅片取出上料或将硅片放入若干中转花篮装置下料。本实用新型多列硅片同时上下料,缩短上下料时间,机械手一次取放,增加了上下料的产能,一套上下料系统可满足更多数量的炉管,提高自动化上下料效率,增大了设备产能。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池或半导体制造技术领域,尤其涉及一种高效的管式炉上下料系统。
背景技术
管式炉用于半导体行业和光伏行业的扩散、镀膜工艺。目前卧式管式炉的上料方式发展很快,效率高,产能高;立式管式炉,由于上下料方式发展相对缓慢而相对落后。但立式管式炉相对于卧式管式炉有厂房面积占用小、碎片率极低、绕镀小、无卡槽印等优点。在硅片越来越薄,电池效率要求越来越高的趋势下,立式管式炉的市场越来越大。
相对于卧式管式炉而言,目前立式管式炉的产能一般,其中上下料系统的工作效率不高是其主要原因。大部分上下料装置由一个机械手一片一片抓取硅片放入炉管或从炉管内取出。这种上下料装置能实现功能,但相对的成本高,产能效率低。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高效的管式炉上下料系统,多列硅片同时上下料,缩短上下料时间,机械手一次取放,增加了上下料的产能,一套上下料系统可满足更多数量的炉管,提高自动化上下料效率,增大了设备产能。
为实现上述目的,采用以下技术方案:
一种高效的管式炉上下料系统,包括若干上料装置、若干下料装置、机械手;所述上料装置、下料装置均包括导片花篮装置、缓存花篮装置、中转花篮装置、传送带装置;同一上料装置或下料装置中的导片花篮装置、缓存花篮装置、中转花篮装置分布在第一方向的一条直线上;所述传送带装置用于将硅片在导片花篮装置、缓存花篮装置、中转花篮装置之间传送,且传送带装置的一端可从中转花篮装置的第一侧伸缩进出其内部;所述机械手用于沿垂直于第一方向的第二方向从每一上料装置或下料装置的中转花篮装置第一侧的相邻一侧插入,一次性将若干中转花篮装置中的硅片取出上料或将硅片放入若干中转花篮装置下料。
较佳地,所述传送带装置包括传送带、伸缩驱动机构、至少两纠偏机构;所述传送带沿第一方向运动,伸缩驱动机构用于驱动传送带一端进出中转花篮装置内部;所述纠偏机构设于中转花篮装置与缓存花篮装置之间的传送带两侧。
较佳地,所述纠偏机构包括纠偏皮带、纠偏旋转柱、纠偏驱动电机;所述纠偏旋转柱用于张紧及导向纠偏皮带,纠偏驱动电机用于驱动纠偏皮带沿纠偏旋转柱的导向方向运动,且其运动速度与传送带的运动速度一致。
较佳地,所述中转花篮装置包括中转花篮、第一驱动机构;所述中转花篮在竖直方向上间隔设有若干花篮齿,形成若干放置硅片的水平承载槽;所述第一驱动机构安装于中转花篮顶部,用于驱动中转花篮移动。
较佳地,所述第一驱动机构包括第一驱动杆、第一X轴驱动模组、第一Y轴驱动模组、第一Z轴驱动模组;所述第一驱动杆设于中转花篮的顶部,第一X轴驱动模组用于驱动第一驱动杆沿平行于传送带的运动方向移动,第一Y轴驱动模组用于驱动第一驱动杆沿垂直于传动带的运动方向移动,第一Z轴驱动模组用于驱动第一驱动杆在竖直方向上升降。
较佳地,所述中转花篮装置还包括拨片机构;所述拨片机构包括四拨片杆、四拨片杆驱动机构;所述四拨片杆分别布置于中转花篮的四侧,每一拨片杆驱动机构用于驱动一拨片杆拨动以纠正中转花篮的硅片位置。
较佳地,所述中转花篮装置还包括四探测器,分别设于中转花篮的四侧,用于检测硅片的到位状况。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造