[实用新型]一种晶圆升降装置有效
| 申请号: | 201820471554.3 | 申请日: | 2018-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN207966941U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
| 发明(设计)人: | 薛荣华;阚保国;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
| 地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 升降杆 晶圆 本实用新型 升降装置 反应腔 种晶 升降 承载 晶圆升降装置 室内 重量感应器 反应腔室 工作效率 静电吸盘 破损 手臂 传送 检测 污染 | ||
本实用新型提供一种晶圆升降装置,包括:若干个升降杆,设置于所述晶圆的反应腔室内,用于承载及升降所述晶圆;若干个重量感应器,与各所述升降杆相对应设置,分别用于检测位于所述升降杆上的所述晶圆对各所述升降杆所产生的重量。本实用新型通过晶圆升降装置即可承载及升降晶圆又可以确认升降杆上方是否具有晶圆,从而可解决由于反应腔室内发生破片时,由真空传送手臂所引起的撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆造成整个反应腔室的污染以及机器down机的问题,从而降低生产成本以及提高工作效率。
技术领域
本实用新型属于半导体加工设备领域,涉及一种晶圆升降装置。
背景技术
半导体刻蚀包括干法刻蚀和湿法刻蚀两种方法。其中,干法刻蚀是把晶圆周围的气体激发成为等离子体,等离子体在偏压引导下轰击晶圆表面,与晶圆发生物理化学反应,从而在晶圆表面刻蚀出所需形貌。
当晶圆在反应腔室内完成刻蚀,经过等离子放电后,反应腔室内的升降杆会顶起晶圆。当升降杆的感应器感应到升降杆升起时,位于传送腔体内的真空传送手臂就会抓取晶圆进行下一步骤的工艺。
但目前,由于反应腔室内的所述升降杆的感应器只能感应升降杆的升起与下降,不具备检测升降杆上表面有没有晶圆的功能,因而,当晶圆在反应腔室内发生破片时,反应腔室内的升降杆依然会正常升起,当升降杆的感应器感应到升降杆升起时,位于传送腔体内的真空传送手臂还会继续去取片,有可能会引起:撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆造成整个反应腔室的污染以及机器down机的现象,造成生产成本增加及工作效率降低。
基于以上所述,提供一种即可以用于承载及升降晶圆又可以确认升降杆上方是否具有晶圆的晶圆升降装置,以解决目前由于反应腔室内发生破片时,由真空传送手臂所引起的撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆,造成整个反应腔室的污染以及机器down机的问题实属必要。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本实用新型的目的在于提供一种晶圆升降装置,用于解决现有技术中由于反应腔室内发生破片时,由真空传送手臂所引起的撞断升降杆、静电吸盘破损、撞碎晶圆,造成整个反应腔室的污染以及机器down机的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种晶圆升降装置,包括:
若干个升降杆,设置于所述晶圆的反应腔室内,用于承载及升降所述晶圆;
若干个重量感应器,与各所述升降杆相对应设置,分别用于检测位于所述升降杆上的所述晶圆对各所述升降杆所产生的重量。
优选地,所述升降杆的个数范围介于2~10。
优选地,所述若干个升降杆的顶端处于同一水平面上。
优选地,所述若干个升降杆的顶端围成一正三角形,且所述正三角形的中心与所述晶圆的中心重合。
优选地,所述晶圆升降装置还包括升降感应器,所述升降感应器用于测试所述升降杆的高度位置。
优选地,所述晶圆升降装置还包括显示器,所述显示器与所述重量感应器及所述升降感应器相连接,用于显示所述升降杆测得的所述晶圆的重量以及所述升降杆的高度位置。
优选地,所述晶圆升降装置还包括控制器,所述控制器与所述重量感应器、升降感应器及真空传送手臂相连接,当所述若干个升降杆测得的所述晶圆对各所述升降杆产生的重量概呈相等,且所述升降感应器测得的所述若干个升降杆的高度位置均到达目标高度时,所述控制器启动并控制所述真空传送手臂,抓取所述晶圆。
优选地,所述晶圆升降装置还包括报警器,所述报警器与所述控制器相连接,当所述若干个升降杆测得的所述晶圆对各所述升降杆产生的重量不等或所述升降感应器测得的所述若干个升降杆的高度位置未到达目标高度时,所述控制器启动所述报警器。
优选地,所述晶圆升降装置还包括普通型升降杆。
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