[实用新型]具有新型电极结构的T-RESURF LDMOS

说明书

本实用新型公开了具有新型电极结构的T‑RESURF LDMOS，涉及功率半导体器件领域，包括重掺杂衬底和设置在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层上设有轻掺杂漂移区，所述轻掺杂漂移区内从左到右依次设有掺杂浓度递减的第一埋层、第二埋层、第三埋层和第四埋层，所述轻掺杂漂移区上设有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层内从左到右依次蚀刻有第一场板、偏置电极和第二场板；所述重掺杂衬底、轻掺杂外延层、第一埋层、第二埋层、第三埋层和第四埋层均填充有第一掺杂类型，所述轻掺杂漂移区填充有第二掺杂类型。本实用新型降低了导通电阻和功耗，提高了击穿电压和器件的工作效率。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体器件领域，尤其涉及一种具有新型电极结构的TRIPLERESURF LDMOS。

背景技术

横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS,Lateral double-diffused MOStransistors)器件是一种良好的半导体，满足了高耐压，实现功率控制等方面的要求。LDMOS是DMOS的一种，LDMOS作为一种近似于传统的场效应晶体管(FET)器件的一种场效应晶体器件，主要包括在半导体衬底重形成沟道区域所分隔的源漏区域，并依次于沟道区域上方形成栅电极。

传统的LDMOS器件在导通时，其导电沟道位于顶层的正表面，且为横向沟道，栅场板覆盖于较厚的栅氧化层上，导致通态电流向漂移区正表面集中，扩展电阻大，漂移区电导调制效应不均匀，通态电阻大，通态功耗高，器件的工作效率低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型设计完成了具有新型电极结构的T-RESURF LDMOS，降低了导通电阻和功耗，提高了击穿电压和器件的工作效率。

本实用新型通过以下技术手段解决上述问题：

具有新型电极结构的T-RESURF LDMOS，包括重掺杂衬底和设置在所述重掺杂衬底上的轻掺杂外延层，所述轻掺杂外延层上设有轻掺杂漂移区，所述轻掺杂漂移区内从左到右依次设有掺杂浓度递减的第一埋层、第二埋层、第三埋层和第四埋层，所述轻掺杂漂移区的顶层设有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层内从左到右依次蚀刻有第一场板、偏置电极和第二场板；

所述重掺杂衬底、轻掺杂外延层、第一埋层、第二埋层、第三埋层和第四埋层均填充有第一掺杂类型，所述轻掺杂漂移区填充有第二掺杂类型。

进一步地，所述轻掺杂外延层上还设有沟道区，所述沟道区上从左到右依次设有重掺杂区和重掺杂源区，所述重掺杂区和重掺杂源区上设有与绝缘氧化层顶面平齐的源极金属区，所述绝缘氧化层上设有栅区；

所述轻掺杂漂移区上还设有漏区，所述漏区上设有漏极金属区；

所述重掺杂区和沟道区均填充有第一掺杂类型，所述重掺杂源区和漏区均填充有第二掺杂类型。

进一步地，所述第一埋层的第一掺杂类型的浓度小于所述轻掺杂漂移区的第二掺杂类型的浓度。

进一步地，所述第一埋层、第二埋层、第三埋层和第四埋层的长度之和小于所述轻掺杂漂移区的长度。

进一步地，所述第一掺杂类型包括P型，所述第二掺杂类型包括N型。

进一步地，所述第一掺杂类型包括N型，所述第二掺杂类型包括P型。

本实用新型的具有新型电极结构的T-RESURF LDMOS具有以下有益效果：