[实用新型]具有新型电极结构的T-RESURF LDMOS有效
| 申请号： | 201820105019.6 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN207705201U | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 马中发;彭雨程 | 申请（专利权）人： | 西安因变光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 西安科果果知识产权代理事务所(普通合伙) 61233 | 代理人： | 李倩 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 埋层 轻掺杂漂移区 轻掺杂外延层 重掺杂 衬底 新型电极结构 本实用新型 绝缘氧化层 掺杂类型 场板 填充 功率半导体器件 漂移 蚀刻 导通电阻 工作效率 击穿电压 偏置电极 轻掺杂 功耗 递减 掺杂 | ||
1.具有新型电极结构的T-RESURFLDMOS，其特征在于：包括重掺杂衬底(1)和设置在所述重掺杂衬底(1)上的轻掺杂外延层(2)，所述轻掺杂外延层(2)上设有轻掺杂漂移区(6)，所述轻掺杂漂移区(6)内从左到右依次设有掺杂浓度递减的第一埋层(8)、第二埋层(9)、第三埋层(10)和第四埋层(11)，所述轻掺杂漂移区(6)的顶层设有绝缘氧化层(15)，所述绝缘氧化层(15)内从左到右依次蚀刻有第一场板(16)、偏置电极(18)和第二场板(17)；
所述重掺杂衬底(1)、轻掺杂外延层(2)、第一埋层(8)、第二埋层(9)、第三埋层(10)和第四埋层(11)均填充有第一掺杂类型，所述轻掺杂漂移区(6)填充有第二掺杂类型。
2.根据权利要求1所述的具有新型电极结构的T-RESURFLDMOS，其特征在于，所述轻掺杂外延层(2)上还设有沟道区(5)，所述沟道区(5)上从左到右依次设有重掺杂区(3)和重掺杂源区(4)，所述重掺杂区(3)和重掺杂源区(4)上设有与绝缘氧化层(15)顶面平齐的源极金属区(12)，所述绝缘氧化层(15)上设有栅区(13)；
所述轻掺杂漂移区(6)上还设有漏区(7)，所述漏区(7)上设有漏极金属区(14)；
所述重掺杂区(3)和沟道区(5)均填充有第一掺杂类型，所述重掺杂源区(4)和漏区(7)均填充有第二掺杂类型。
3.根据权利要求1所述的具有新型电极结构的T-RESURFLDMOS，其特征在于，所述第一埋层(8)的第一掺杂类型的浓度小于所述轻掺杂漂移区(6)的第二掺杂类型的浓度。
4.根据权利要求1所述的具有新型电极结构的T-RESURFLDMOS，其特征在于，所述第一埋层(8)、第二埋层(9)、第三埋层(10)和第四埋层(11)的长度之和小于所述轻掺杂漂移区(6)的长度。
5.根据权利要求3所述的具有新型电极结构的T-RESURFLDMOS，其特征在于，所述第一掺杂类型包括P型，所述第二掺杂类型包括N型。
6.根据权利要求3所述的具有新型电极结构的T-RESURFLDMOS，其特征在于，所述第一掺杂类型包括N型，所述第二掺杂类型包括P型。
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