[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一堆叠结构，其中该堆叠结构包括按序堆叠的一氮化物层、一第一层、一停止层、一第二层及一第一氧化物层；

形成一第三层于该第一氧化物层上；

图案化该第三层以得到一线条与间隔图案，包括多个第一线与多个第一间隔；

形成一第二氧化物层在该线条与间隔图案上；

去除在所述第一线上的该第二氧化物层；

去除所述第一线以形成多个第二间隔；以及

通过所述第二间隔而蚀刻该第一氧化物层、该第二层及该停止层，以形成多个第二线。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中各个第二线的临界尺寸小于37纳米，形成于相邻的两个第二线之间的各第三间隔的临界尺寸介于11纳米至15纳米之间。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中图案化该第三层以得到一线条与间隔图案的步骤，包括：

提供一光刻胶层于该第三层上；

图案化该光刻胶层；

进行一第一蚀刻工艺以去除该第三层的一部分；以及

剥离该光刻胶层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其中图案化该第三层之后，该第一氧化物层的部分显露于该第一间隔。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中该第二氧化物层形成在各个第一线的一顶面和一侧壁以及该第一氧化物层上，该第二氧化物层的厚度一致。

6.如权利要求1所述的制造方法，还包括：

形成一填充材料在该第二氧化物层上；

去除在所述第一线上的该第二氧化物层时，同时去除在所述第一线上的该填充材料；以及

去除所述第一线时，同时完全去除该填充材料。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中使用第二蚀刻工艺来去除在所述第一线上的该第二氧化物层以及在所述第一线之上的该填充材料，该第二蚀刻工艺包括使用四氟化碳(CF₄)作为反应气体。

8.如权利要求6所述的制造方法，其中以一灰化工艺去除所述第一线以及该填充材料，该灰化工艺包括使用氧气(O₂)作为反应气体。

9.如权利要求6所述的制造方法，其中形成在所述第一线之上的该填充材料的高度小于形成在所述第一间隔内的该填充材料的高度。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中该第一氧化物层的部分显露于所述第二间隔。

11.如权利要求1所述的制造方法，其中该半导体结构具有一主动区及环绕该主动区的一周边区，其中所述第二线以及所述第二间隔位于该主动区内。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中在该主动区内的该第一氧化物层的高度小于在该周边区内的该第一氧化物层的高度，且该主动区内的该第三层的高度大于该周边区内的该第三层的高度，如此一来该第三层的一上表面是平面的。