[发明专利]半极性氮化镓外延层结构以及制备方法

权利要求书

1.一种半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，包括：

衬底(10)；

缓冲层(20)，设置于所述衬底(10)；

第一层氮化镓(30)，设置于远离所述衬底(10)的所述缓冲层(20)的缓冲层表面(210)；

第一层氮化硅(40)，具有多个间隔设置的第一氮化硅微结构(410)，且多个所述第一氮化硅微结构(410)设置于远离所述缓冲层(20)的所述第一层氮化镓(30)的第一层氮化镓表面(310)，且相邻的所述第一氮化硅微结构(410)之间设置有微孔(420)；

第二层氮化镓(50)，具有多个间隔设置的第二氮化镓微结构(510)，每个所述第二氮化镓微结构(510)设置于所述微孔(420)，且每个所述第二氮化镓微结构(510)的厚度大于每个所述第一氮化硅微结构(410)的厚度；

第二层氮化硅(60)，具有多个间隔设置的第二氮化硅微结构(610)，且多个所述第二氮化硅微结构(610)设置于远离所述第一氮化硅微结构(410)的所述第二氮化硅微结构(510)的第二氮化硅微结构表面(511)；

第三层氮化镓(70)，设置于远离所述第一层氮化镓(30)的所述第一氮化硅微结构(410)的第一氮化硅微结构表面(411)，且所述第三层氮化镓(70)设置于远离所述第二氮化镓微结构(510)的所述第二氮化硅微结构(610)的第二氮化硅微结构表面(611)。

2.如权利要求1所述的半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，所述半极性氮化镓外延层结构还包括多个间隔设置的孔洞(80)，每个所述孔洞(80)设置于每个所述第一氮化硅微结构(410)的所述第一氮化硅微结构表面(411)。

3.如权利要求1所述的半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，所述第一层氮化镓(30)的厚度为50nm～1.5μm。

4.如权利要求1所述的半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，所述第三层氮化镓(70)的厚度为100nm～8μm。

5.如权利要求1所述的半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，所述缓冲层(20)的厚度为1nm～150nm。

6.如权利要求1所述的半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，所述衬底(10)为蓝宝石衬底。

7.如权利要求1所述的半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，所述缓冲层(20)为氮化铝缓冲层。

8.如权利要求1所述的半极性氮化镓外延层结构，其特征在于，所述缓冲层(20)的厚度为50nm，所述第一层氮化镓(30)的厚度为300nm，所述第三层氮化镓(70)的厚度为4μm。