[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法以及液晶显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，具备：

基底基板；以及

薄膜晶体管，其具有：栅极电极，其设置在上述基底基板上；栅极绝缘膜，其以覆盖上述栅极电极的方式设置；半导体层，其以与上述栅极电极重叠的方式设置在上述栅极绝缘膜上；以及源极电极和漏极电极，其以各自一部分连接到上述半导体层的方式并且以在上述半导体层上相互相对的方式设置，

上述薄膜晶体管基板的特征在于，

上述半导体层具有：第1半导体层，其包括第1氧化物半导体；以及第2半导体层，其以覆盖上述第1半导体层的方式设置，包括第2氧化物半导体。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，

上述第1氧化物半导体和上述第2氧化物半导体各自包括铟、镓、锌以及氧，

在上述第1氧化物半导体中，铟的组成比大于镓和锌的各组成比，

在上述第2氧化物半导体中，镓的组成比大于铟和锌的各组成比。

3.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：

权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板；

相对基板，其与上述薄膜晶体管基板相对地配置；以及

液晶层，其设置在上述薄膜晶体管基板与上述相对基板之间。

4.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包含：

第1图案化工序，在基底基板上形成导电膜，使用第1光掩模将上述导电膜图案化，由此形成栅极电极；

栅极绝缘膜成膜工序，以覆盖上述栅极电极的方式形成栅极绝缘膜；

第2图案化工序，在上述栅极绝缘膜上形成包括第1氧化物半导体的第1半导体膜，使用第2光掩模将上述第1半导体膜图案化，由此形成第1半导体层；

第3图案化工序，以覆盖上述第1半导体层的方式形成包括第2氧化物半导体的第2半导体膜，使用第3光掩模将上述第2半导体膜图案化，由此以覆盖上述第1半导体层的方式形成第2半导体层；以及

第4图案化工序，以覆盖上述第1半导体层和上述第2半导体层的方式形成导电膜，使用第4光掩模并通过干式蚀刻将上述导电膜图案化，由此形成源极电极和漏极电极。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，

上述第1氧化物半导体和上述第2氧化物半导体各自包括铟、镓、锌以及氧，

在上述第1氧化物半导体中，铟的组成比大于镓和锌的各组成比，

在上述第2氧化物半导体中，镓的组成比大于铟和锌的各组成比。