[发明专利]包括不同类型的存储单元的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板，

其中所述易失性存储区包括：

单元电容器，在所述基板中；和

单元晶体管，连接到所述单元电容器，

其中所述非易失性存储区具有在所述基板上的多个非易失性存储单元，并且

其中所述易失性存储区和所述非易失性存储区是并排的。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述单元电容器在比所述基板的上表面低的水平处，并且

其中所述多个非易失性存储单元在比所述基板的所述上表面高的水平处。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述单元电容器包括：

第一电极，在所述基板中；

第二电极，面对所述第一电极；和

电容器电介质层，在所述第一电极和所述第二电极之间，并且

其中所述第二电极在所述基板中的电容器沟槽中。

4.如权利要求3所述的半导体器件，

其中所述电容器沟槽从所述基板的上表面朝向所述基板的内部设置，并且

其中所述电容器沟槽具有大于水平宽度的高度。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一电极的下表面在比所述电容器沟槽的底部低的水平处。

6.如权利要求3所述的半导体器件，

其中所述基板包括：

第一阱，与所述基板的上表面相邻；

第二肼，在比所述第一肼的水平低的水平处；和

第三肼，在比所述第二肼的水平低的水平处，

其中所述第二肼在所述第一肼和所述第三肼之间，

其中所述第一阱和所述第三阱含有第一导电杂质，并且

其中所述第二阱含有不同于所述第一导电杂质的第二导电杂质。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一电极的下表面在与所述第二阱的下表面基本上相同的水平处。

8.如权利要求6所述的半导体器件，

其中所述第一电极包括：

内电极，与所述电容器沟槽相邻；和

外电极，围绕所述内电极的外表面，

其中所述电容器电介质层在所述内电极和所述第二电极之间。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述电容器沟槽穿过所述第一阱和所述外电极进入所述第三阱中。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述内电极的最下端在比所述外电极的下表面低的水平处。

11.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述内电极的最下端在比所述第三阱的最上端低的水平处。

12.如权利要求3所述的半导体器件，

其中所述单元晶体管包括：

单元漏极区；

单元源极区，与所述单元漏极区间隔开；和

单元栅电极，在所述单元漏极区和所述单元源极区之间，并且

其中所述单元漏极区连接到所述第二电极。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述单元栅电极在所述基板中。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述单元栅电极的上表面在比所述基板的上端低的水平处。

15.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述非易失性存储区包括：

多个模层和多个非易失性栅电极，交替地且重复地堆叠在所述基板上；和

沟道结构，穿过所述多个模层和所述多个非易失性栅电极，

其中所述沟道结构和所述多个非易失性栅电极构成所述多个非易失性存储单元。