[发明专利]一种改善SiC器件界面特征的方法及SiC器件在审
| 申请号： | 201811474382.6 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109801840A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 罗志鹏;罗家俊;赵发展 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 界面特征 紫外辐照 氧化层 界面缺陷 化学键 退火 钝化效果 高温退火 辐照 制备 打断 | ||
1.一种改善SiC器件界面特征的方法，其特征在于，包括：
在SiC衬底上形成氧化层；
对形成氧化层后的SiC衬底进行紫外辐照，并在辐照的过程中，采用含N元素的气体对所述SiC衬底进行高温退火，其中，紫外辐照能打断SiC与氧化层的界面缺陷的化学键，并且在紫外辐照的协助下能使N元素与界面C原子的反应更易进行，使钝化效果更彻底；
在退火后的SiC衬底上完成SiC器件制备。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对形成氧化层后的SiC衬底进行紫外辐照之前，还包括：
通入惰性气体对形成氧化层后的SiC衬底进行退火降温至室温。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对形成氧化层后的SiC衬底进行紫外辐照，包括：
将形成氧化层后的SiC衬底放在真空紫外辐照设备内，用氘灯进行紫外辐照。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，将波长低于150nm的波段用滤光片滤除后进行紫外辐照。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，辐照功率为20～60mW。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，辐照时间为1～16小时。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用含N元素的气体对所述SiC衬底进行高温退火，包括：
采用氮气的等离子体对所述SiC衬底进行高温退火。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用含N元素的气体对所述SiC衬底进行高温退火，包括：
采用含N与O元素的气体对所述SiC衬底进行高温退火。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SiC器件为SiC MOSFET或SiC IGBT。
10.一种SiC器件，其特征在于，所述器件制备在SiC衬底上，所述器件SiC衬底在形成氧化层后进行过紫外辐照，并在辐照的过程中，采用含N元素的气体对所述SiC衬底进行高温退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
