[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

说明书

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法，采用第一栅极与第二栅极组成双栅极结构，并利用氮化硅层制作蚀刻阻挡层，当沉积形成该氮化硅层时，其中的氢原子会扩散至有源层中，在有源层中形成掺杂，氢原子作为供体提供大量电子，使得低阻抗沟道区的电子迁移率增加，阻抗进一步降低，从而在原有沟道区形成TFT沟道串联结构，降低了两侧沟道阻抗，等效缩短了沟道长度，提高了电子迁移率，降低功耗，在无需改变黄光制程设备的情况下，通过离子扩散掺杂，实现了双TFT结构，节约成本，实际使用中可有效节约空间，优化空间布局。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

显示面板是LCD、OLED的重要组成部分。不论是LCD的显示面板，还是OLED的显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT基板、一彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

目前，现有的TFT基板按结构类型主要分为：共平面(Coplanar)型、具有蚀刻阻挡层(Etch Stop Layer，ESL)型、背沟道蚀刻(Back Channel Etch，BCE)型等多种类型。

铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)由于具有高迁移率、适用于大面积生产、易于由非晶硅(a-Si)制程转换等优势，成为目前薄膜晶体管技术领域内的研究热点。但IGZO-TFT中的IGZO有源层对于工艺和环境非常敏感，因此IGZO-TFT通常采用ESL型结构，通过刻蚀阻挡层ESL并增加一道光罩(Mask)对IGZO有源层进行保护，然而这样就不利于TFT制程成本的降低；同时由于源漏极(SD)与刻蚀阻挡层ESL之间的堆叠，使得TFT器件的沟道尺寸较大，从而造成TFT的导电性能下降。

请参阅图1，现有的ESL型TFT基板包括基板100、依次设于基板100上的栅极200、栅极绝缘层300、氧化物半导体层400、蚀刻阻挡层500、源极610、及漏极620，其中，所述源极610和漏极620分别通过第一过孔510和第二过孔520与氧化物半导体层400相接触。

图1所示的ESL型TFT基板采用蚀刻阻挡层500来避免沟道损伤，但是由于增加了一道蚀刻阻挡层500，也使得TFT的沟道长度随之增加。在大尺寸OLED显示面板中，通常使用IGZO/IGSO(铟镓硒氧化物)这类的氧化物半导体材料作为沟道衬底，因为其拥有较高的电子迁移率，适用于大尺寸生产。为了获得更高的分辨力，更大的开口率，以及更低功耗，要求面板在较低的驱动开启电压下获得更大的OLED驱动电流。一般通过缩短TFT沟道长度可以得到更高的漏极电流(Ids)，但是考虑到现实制程能力，TFT沟道长度的缩短严格受限，无法显著改善电流驱动能力，因此通过工艺制程缩短TFT通道长度来改善大尺寸OLED面板的电流驱动能力无法满足现实需要，亟待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，采用双栅极结构，通过氮化硅层中氢原子的扩散掺杂，在原有沟道区形成TFT沟道串联结构，降低两侧沟道阻抗，等效缩短原沟道长度，实现双TFT结构，节约成本，实际使用中可有效节约空间，优化空间布局。