[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成相间隔的第一栅极(21)和第二栅极(22)，在所述第一栅极(21)、第二栅极(22)及衬底基板(10)上沉积形成栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积并图案化形成对应于所述第一栅极(21)和第二栅极(22)上方的有源层(40)；

步骤S2、在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上沉积形成蚀刻阻挡层(50)，所述蚀刻阻挡层(50)包括氮化硅层(51)，当沉积所述蚀刻阻挡层(50)的氮化硅层(51)时，该氮化硅层(51)中的氢原子会扩散至所述有源层(40)中，从而降低所述有源层(40)的阻抗；

步骤S3、在所述蚀刻阻挡层(50)上沉积并图案化形成源极(61)和漏极(62)。

2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中采用等离子化学气相沉积法沉积形成所述蚀刻阻挡层(50)的氮化硅层(51)。

3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中采用电镀激溅的方法沉积形成所述有源层(40)，所述有源层(40)的材料为为金属氧化物半导体材料。

4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括对所述有源层(40)的两侧区域进行等离子掺杂处理，而使得该两侧区域的导电性增强，形成位于两端的源极接触区(41)和漏极接触区(42)，该源极接触区(41)和漏极接触区(42)之间的区域形成为沟道区(43)；

所述步骤S2还包括对所述蚀刻阻挡层(50)进行图案化处理，所述蚀刻阻挡层(50)在对应所述有源层(40)的源极接触区(41)和漏极接触区(42)上方分别形成第一过孔(501)、第二过孔(502)；

所述步骤S3中，所述源极(61)和漏极(62)分别通过第一过孔(501)和第二过孔(502)与源极接触区(41)和漏极接触区(42)相接触。

5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层(50)还包括位于所述氮化硅层(51)与有源层(40)之间的氧化硅层(52)。

6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT基板在使用时，所述第一栅极(21)和第二栅极(22)上的电压分别独立控制。

7.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的相间隔的第一栅极(21)和第二栅极(22)、设于所述第一栅极(21)、第二栅极(22)及衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应于所述第一栅极(21)和第二栅极(22)上方的有源层(40)、设于所述有源层(40)上的蚀刻阻挡层(50)以及设于所述蚀刻阻挡层(50)上的源极(61)和漏极(62)；

其中，所述蚀刻阻挡层(50)包括氮化硅层(51)，该氮化硅层(51)中的氢原子会扩散至所述有源层(40)中，从而降低所述有源层(40)的阻抗。

8.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述有源层(40)的材料为金属氧化物半导体；

所述有源层(40)的两侧区域分别为经由等离子掺杂处理而导电性增强的源极接触区(41)和漏极接触区(42)，所述有源层(40)上源极接触区(41)和漏极接触区(42)之间的区域为沟道区(43)；

所述蚀刻阻挡层(50)对应所述有源层(40)的源极接触区(41)和漏极接触区(42)分别设有第一过孔(501)、第二过孔(502)，所述的源极(61)和漏极(62)分别通过第一过孔(501)和第二过孔(502)与源极接触区(41)和漏极接触区(42)相接触。

9.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层(50)还包括位于所述氮化硅层(51)与有源层(40)之间的氧化硅层(52)。

10.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，使用时，所述第一栅极(21)和第二栅极(22)上的电压分别独立控制。