[发明专利]半导体装置以及电力变换装置有效
申请号: | 201811397687.1 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN109841604B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 小柳诚 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/367 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 何立波;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 电力 变换 | ||
本发明的目的在于提供能够提高绝缘特性的半导体装置和电力变换装置。其特征在于,具备:基座板;粘接剂,其设置于该基座板的上表面;以及壳体,其具有下表面、与该下表面相连并且与该下表面相比位于与该基座板的中央接近的位置的斜面,该壳体通过在该下表面和该斜面附着该粘接剂,从而固定于该基座板,该粘接剂中的与该斜面接触的部分比与该下表面接触的部分厚。
技术领域
本发明涉及半导体装置以及电力变换装置。
背景技术
在专利文献1中公开了下述内容,即,在将外围树脂壳体重叠在搭载有电路组装体的散热用金属基座板的周缘,将两者间通过粘接剂进行了接合的半导体装置的封装件处,沿外围树脂壳体的底部内周缘而形成带台阶的槽部,在该槽部涂敷粘接剂,在这种结构中,在所述带台阶的槽部形成粘接剂的储存空间。
专利文献1:日本特开平11-307658号公报
在将基座板和壳体通过粘接剂粘接的情况下,存在下述问题,即,粘接剂的气泡膨胀,经由胶体气泡在壳体正下方进行沿面放电而产生绝缘不良。例如,在半导体装置的高温下的绝缘试验中有时在粘接剂的表面产生气泡。沿面放电在绝缘距离近的构造中特别容易发生。
发明内容
本发明就是为了解决上述课题而提出的,其目的在于提供能够提高绝缘特性的半导体装置和电力变换装置。
本发明涉及的半导体装置的特征在于,具备:基座板;粘接剂,其设置于该基座板的上表面;以及壳体,其具有下表面、与该下表面相连并且与该下表面相比位于与该基座板的中央接近的位置的斜面,该壳体通过在该下表面和该斜面附着该粘接剂,从而固定于该基座板,该粘接剂中的与该斜面接触的部分比与该下表面接触的部分厚。
以下,使得本发明的其他特征得以明确。
发明的效果
根据本发明,能够通过形成厚的粘接剂胶瘤(fillet),从而提高半导体装置和电力变换装置的绝缘特性。
附图说明
图1是实施方式1涉及的半导体装置的剖面图。
图2是图1的壳体和基座板的粘接部分的放大图。
图3是实施方式2涉及的半导体装置的局部放大图。
图4是实施方式3涉及的半导体装置的局部放大图。
图5是表示电力变换系统的结构的框图。
标号的说明
10半导体装置,12基座板,20壳体,20A斜面,20B第1下表面,20C第2下表面,24粘接剂,24a粘接剂胶瘤,24b中央部,24c外侧部
具体实施方式
参照附图对实施方式涉及的半导体装置和电力变换装置进行说明。对相同或相应的结构要素标注相同的标号,有时省略重复说明。
实施方式1
图1是实施方式1涉及的半导体装置10的剖面图。半导体装置10具备基座板12。在基座板12之上利用焊料14固定有绝缘基板16。绝缘基板16具备例如散热性优异的AlN(氮化铝)等绝缘材料和形成于该绝缘材料之上的电路图案。在绝缘基板16的上表面固定有半导体元件18。半导体元件18能够是例如IGBT(Insulated-Gate BipolarTransistor)芯片以及二极管芯片。
绝缘基板16和半导体元件18被壳体20包围。电极22埋入于壳体20。电极22的一部分露出至壳体20的内部。另外,电极22的一部分与壳体20相比位于上方,由此能够将电极22与外部连接。为了提高焊接性,电极22能够由例如实施了镀Ni的Cu形成。
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