[发明专利]加工半导体晶圆的方法、清洗方法及加工系统

说明书

本公开部分实施例提供一种加工一半导体晶圆的方法。上述方法包括自一介面工具传送半导体晶圆至一化学机械研磨工具。上述方法还包括在化学机械研磨工具中研磨半导体晶圆。上述方法还包括自化学机械研磨工具将半导体晶圆传送回介面工具。另外，上述方法包括转换一混合液成为一喷雾，并在半导体晶圆通过化学机械研磨工具进行研磨后，将喷雾排出至位于介面工具中的半导体晶圆上。

技术领域

本公开部分实施例提供一种加工一半导体晶圆的方法。上述方法包括自一介面工具传送半导体晶圆至一化学机械研磨工具。上述方法还包括在化学机械研磨工具中研磨半导体晶圆。上述方法还包括自化学机械研磨工具将半导体晶圆传送回介面工具。另外，上述方法包括转换一混合液成为一喷雾，并在半导体晶圆通过化学机械研磨工具进行研磨后，将喷雾排出至位于介面工具中的半导体晶圆上。

背景技术

集成电路(integrated circuit，IC)产业成长迅速，材料与设计等技术不断地进步，使得每一新一世代产品的电路愈趋微缩复杂。在IC演进过程中，功能密度(functionaldensity，即每芯片面积中所连接的元件数量)大体是逐步增加，而几何尺寸(即工艺制作出的最小组件或线路尺寸)则是逐步下降。尺度降低可带来增加生产效率及降低成本的好处，但也因此增加IC工艺的复杂度。

集成电路通常通过一系列晶圆制造工具(即“加工设备”)加工半导体晶圆。每个加工设备通常在半导体晶圆上执行一单片晶圆制造任务。例如，化学机械研磨(chemicalmechanical polishing，简称CMP)设备用于平坦化半导体晶圆的研磨工艺。举例而言，研磨工艺可在晶圆的介电层、半导体层和导电材料层上形成平坦表面。

尽管现有的CMP系统通常已经足够用于他们预期的目的，但并非在所有方面都完全令人满意的。因此，提供一种改良的CMP系统的解决方案是受到期待的，以减少或避免由于研磨工艺中形成的缺陷而产生过量的报废晶圆。

发明内容

本公开部分实施例提供一种加工一半导体晶圆的方法。上述加工半导体晶圆的方法包括自一介面工具传送半导体晶圆至一化学机械研磨工具。上述加工半导体晶圆的方法还包括在化学机械研磨工具中研磨半导体晶圆。上述加工半导体晶圆的方法还包括自化学机械研磨工具将半导体晶圆传送回介面工具。另外，上述加工半导体晶圆的方法包括转换一混合液成为一喷雾，并在半导体晶圆通过化学机械研磨工具进行研磨后，将喷雾排出至位于介面工具中的半导体晶圆上。

本公开部分实施例还提供一种在CMP工艺后清洗一半导体晶圆的方法。上述在CMP工艺后清洗一半导体晶圆的方法包括自一研磨头卸载一半导体晶圆并移至一晶圆座。研磨头配置用于在化学机械研磨工艺中夹持半导体晶圆。上述在CMP工艺后清洗一半导体晶圆的方法还包括转换一混合液成为一喷雾，并排出喷雾至由晶圆座所支撑的半导体晶圆。上述在CMP工艺后清洗一半导体晶圆的方法还包括自晶圆座传送半导体晶圆至一清洁工具。另外，上述在CMP工艺后清洗一半导体晶圆的方法包括在清洁工具中清洁半导体晶圆。

本公开部分实施例还提供一种适用于执行一化学机械研磨工艺的加工系统。上述加工系统包括一化学机械研磨工具，配置用于研磨一半导体晶圆。上述加工系统还包括一晶圆座，配置用于支撑半导体晶圆以便于将半导体晶圆送入化学机械研磨工具中并后续从化学机械研磨工具中移除。上述加工系统还包括多个喷雾喷嘴，相对晶圆座放置。此外，上述加工系统包括一喷雾产生器，连结喷雾喷嘴并配置用于将一混合液转换成一喷雾。上述加工系统还包括一控制器，配置用于启动喷雾自喷雾产生器至喷雾喷嘴的流动，以将喷雾排出至由晶圆座所支撑的半导体晶圆。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，附图并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明：

图1显示根据本公开的部分实施例的一加工系统的示意图。

图2显示根据部分实施例的一介面工具的示意图。