[发明专利]加工半导体晶圆的方法、清洗方法及加工系统

权利要求书

1.一种加工一半导体晶圆的方法，包括：

自一介面工具的一腔体中传送该半导体晶圆至一化学机械研磨工具；

在该化学机械研磨工具中研磨该半导体晶圆；

自该化学机械研磨工具将该半导体晶圆传送回该介面工具的该腔体中；以及

转换一混合液成为一喷雾，并在该半导体晶圆通过该化学机械研磨工具进行研磨后，将该喷雾排出至位于该介面工具的该腔体中的该半导体晶圆上。

2.如权利要求1所述加工一半导体晶圆的方法，还包括：

在该半导体晶圆通过该化学机械研磨工具进行研磨前，将该喷雾排出至位于该介面工具的该腔体中的该半导体晶圆上；

其中在该半导体晶圆通过该化学机械研磨工具进行研磨前所排出的该喷雾是与在该半导体晶圆通过该化学机械研磨工具进行研磨后所排出的该喷雾相异。

3.如权利要求1所述加工一半导体晶圆的方法，其中该喷雾包括NH₄OH溶液或苯并三唑溶液。

4.如权利要求1所述加工一半导体晶圆的方法，还包括：

将已通过该化学机械研磨工具研磨完成的该半导体晶圆自该化学机械研磨工具的一研磨头卸除并移至该介面工具的该腔体中的一晶圆座；

其中该喷雾是在该半导体晶圆受该晶圆座所支承时排出至位于该介面工具的该腔体中的该半导体晶圆上。

5.如权利要求1所述加工一半导体晶圆的方法，其中该喷雾是通过多个喷雾喷嘴而排出，并且该方法还包括：

控制来自该多个喷雾喷嘴的一者的该喷雾的流速相异于来自该多个喷雾喷嘴的另一者的该喷雾的流速。

6.如权利要求1所述加工一半导体晶圆的方法，其中该喷雾是通过多个喷雾喷嘴而排出，并且该方法还包括：

通过相对于该半导体晶圆位于不同角度的该多个喷雾喷嘴的二者排出该喷雾。

7.如权利要求1所述加工一半导体晶圆的方法，还包括根据暴露于受研磨的该半导体晶圆的一材料调整该混合液的一酸碱值。

8.如权利要求1所述加工一半导体晶圆的方法，还包括：检测该半导体晶圆在该介面工具的该腔体中的存在；其中该喷雾是在检测该半导体晶圆存在于该晶圆座之后的一既定时间才排出至该半导体晶圆。

9.一种清洗方法，适用于在化学机械研磨工艺后清洗一半导体晶圆，该清洗方法包括：

自一研磨头卸载一半导体晶圆并移至一晶圆座，该研磨头配置用于在该化学机械研磨工艺中夹持该半导体晶圆；

转换一混合液成为一喷雾，并通过多个喷雾喷嘴排出该喷雾至由该晶圆座所支撑的该半导体晶圆上；

自该晶圆座传送该半导体晶圆至一清洁工具；

在该清洁工具中清洁该半导体晶圆；以及

根据与该半导体晶圆上所形成的缺陷图相关联的历史数据，控制来自该多个喷雾喷嘴的一者的该喷雾的流速相异于来自该多个喷雾喷嘴的另一者的该喷雾的流速。

10.如权利要求9所述的清洗方法，还包括：

在该半导体晶圆自该研磨头卸除并移动至该晶圆座前，排出另一喷雾至该半导体晶圆的一边缘以及该研磨头。

11.如权利要求9所述的清洗方法，其中该喷雾包括NH₄OH溶液或苯并三唑溶液。

12.如权利要求9所述的清洗方法，其中该喷雾是通过多个喷雾喷嘴而排出，并且该方法还包括：通过相对于该半导体晶圆位于不同角度的该多个喷雾喷嘴的二者排出该喷雾。

13.如权利要求9所述的清洗方法，还包括：在执行一时间过后，暂停排出该喷雾至该半导体晶圆；以及在一闲置时间后重新排出该喷雾至该半导体晶圆。